Menu
ItaliaItalia
Rfqs / ordine
0Rfqs / ordine

Transistor - FET, MOSFET - Singoli

2SK4066-E
ON Semiconductor

2SK4066-E

Stock parziale: 1172

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK4066-DL-E
ON Semiconductor

2SK4066-DL-E

Stock parziale: 1110

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK4043LS
ON Semiconductor

2SK4043LS

Stock parziale: 1127

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 4V,

Alla lista dei desideri
2SK4065-DL-E
ON Semiconductor

2SK4065-DL-E

Stock parziale: 1115

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 75V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK3748
ON Semiconductor

2SK3748

Stock parziale: 1129

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 2A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK3747-MG8
ON Semiconductor

2SK3747-MG8

Stock parziale: 1091

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK3746
ON Semiconductor

2SK3746

Stock parziale: 1143

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK3747
ON Semiconductor

2SK3747

Stock parziale: 1187

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK3704
ON Semiconductor

2SK3704

Stock parziale: 1118

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 45A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 23A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK3745LS
ON Semiconductor

2SK3745LS

Stock parziale: 1162

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK3703
ON Semiconductor

2SK3703

Stock parziale: 6201

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 15A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SJ652-RA11
ON Semiconductor

2SJ652-RA11

Stock parziale: 1181

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 28A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 14A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK4125
ON Semiconductor

2SK4125

Stock parziale: 829

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SJ656
ON Semiconductor

2SJ656

Stock parziale: 835

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75.5 mOhm @ 9A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK4124
ON Semiconductor

2SK4124

Stock parziale: 818

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK4171
ON Semiconductor

2SK4171

Stock parziale: 814

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 50A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK4085LS
ON Semiconductor

2SK4085LS

Stock parziale: 852

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK3708
ON Semiconductor

2SK3708

Stock parziale: 838

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 15A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK3707
ON Semiconductor

2SK3707

Stock parziale: 828

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 10A, 10V,

Alla lista dei desideri
2N7002E
Vishay Siliconix

2N7002E

Stock parziale: 125033

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 240mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 250mA, 10V,

Alla lista dei desideri
2N7002K,215
NXP USA Inc.

2N7002K,215

Stock parziale: 892

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 Ohm @ 500mA, 10V,

Alla lista dei desideri
2N7002L6327HTSA1
Infineon Technologies

2N7002L6327HTSA1

Stock parziale: 723

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK4021(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK4021(Q)

Stock parziale: 783

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 250V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.5A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK4017(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK4017(Q)

Stock parziale: 100330

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.5A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK4016(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK4016(Q)

Stock parziale: 6095

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6.5A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK3868(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3868(Q,M)

Stock parziale: 709

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 2.5A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK3906(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3906(Q)

Stock parziale: 711

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 10A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK3844(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3844(Q)

Stock parziale: 756

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 45A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 23A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK3662(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3662(F)

Stock parziale: 712

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 35A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 18A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK3462(TE16L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3462(TE16L1,NQ)

Stock parziale: 761

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 250V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 1.5A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK3466(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3466(TE24L,Q)

Stock parziale: 730

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 5A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK3388(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3388(TE24L,Q)

Stock parziale: 727

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 250V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK3403(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3403(Q)

Stock parziale: 759

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 450V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK3313(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3313(Q)

Stock parziale: 769

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 6A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK3342(TE16L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3342(TE16L1,NQ)

Stock parziale: 768

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 250V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.5A, 10V,

Alla lista dei desideri
2SK2883(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2883(TE24L,Q)

Stock parziale: 752

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 800V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.5A, 10V,

Alla lista dei desideri