Diodi - Raddrizzatori - Array | Prodotti a semiconduttore discreti | 100

MBRD660CTG

Stock parziale: 81424

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ON Semiconductor

NRVHP820MFDT3G

Stock parziale: 69

Configurazione diodo: 2 Independent, Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.05V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT300200R

Stock parziale: 1564

Configurazione diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR400150CTR

Stock parziale: 1548

Configurazione diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 150V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT300150R

Stock parziale: 1563

Configurazione diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 150V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 150A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR200100CTR

Stock parziale: 1533

Configurazione diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR40080CTR

Stock parziale: 1212

Configurazione diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 80V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 400A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR20060CTR

Stock parziale: 1519

Configurazione diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A045

Stock parziale: 3870

Configurazione diodo: 2 Independent, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 45V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 50A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 50A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT40045R

Stock parziale: 1156

Configurazione diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 45V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 400A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A200

Stock parziale: 3030

Configurazione diodo: 2 Independent, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR200150CT

Stock parziale: 1552

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 150V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT20020

Stock parziale: 1213

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR600100CT

Stock parziale: 972

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT200140(A)D

Stock parziale: 1324

Configurazione diodo: 1 Pair Series Connection, Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 1400V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR500100CTR

Stock parziale: 1192

Configurazione diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo di diodo: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 500A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 250A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A120

Stock parziale: 3096

Configurazione diodo: 2 Independent, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 120V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT12035

Stock parziale: 1844

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 35V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 120A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR30060CT

Stock parziale: 1342

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR12030CT

Stock parziale: 1491

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 30V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 120A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST160150

Stock parziale: 1636

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 150V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 80A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 80A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V30DM120CHM3/I

Stock parziale: 100592

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 120V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 970mV @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2060C-M3/4W

Stock parziale: 109388

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VT3060G-E3/4W

Stock parziale: 128134

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 730mV @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT2045CBP-M3/4W

Stock parziale: 102836

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 45V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT4060C-M3/4W

Stock parziale: 67167

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V40PW60C-M3/I

Stock parziale: 116952

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT3060G-M3/4W

Stock parziale: 121490

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 730mV @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT6045C-M3/4W

Stock parziale: 47709

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 45V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 640mV @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V20M120M-E3/4W

Stock parziale: 159782

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 120V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.01V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Alla lista dei desideri

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40120C-M3/4W

Stock parziale: 58911

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 120V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Alla lista dei desideri

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20202G-M3/4W

Stock parziale: 40301

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Alla lista dei desideri

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR1090CT-E3/4W

Stock parziale: 120106

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 90V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Alla lista dei desideri

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2006GHC0G

Stock parziale: 157

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 400V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Alla lista dei desideri

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20200CTHC0G

Stock parziale: 152

Configurazione diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.23V @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GHXS010A060S-D3

Stock parziale: 3747

Configurazione diodo: 2 Independent, Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Alla lista dei desideri