Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, Prepolarizz | Prodotti a semiconduttore discreti | 88

DTC123ECAT116

Stock parziale: 156862

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTD123EKT146

Stock parziale: 144102

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC143ZCAHZGT116

Stock parziale: 59

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased + Diode, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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DTA044EMT2L

Stock parziale: 177120

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

DTD513ZMT2L

Stock parziale: 128968

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

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DTA143ZEFRATL

Stock parziale: 117

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA044EUBTL

Stock parziale: 149153

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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DTC143XKAT146

Stock parziale: 125082

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA123EKAT146

Stock parziale: 150087

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

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DTA115TUAT106

Stock parziale: 138402

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 100 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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DTA114YETL

Stock parziale: 179626

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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DTC114EU3T106

Stock parziale: 54

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased + Diode, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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DTC143ZMFHAT2L

Stock parziale: 84

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased + Diode, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC143ZETL

Stock parziale: 147732

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTD513ZETL

Stock parziale: 111992

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

DTA014YUBTL

Stock parziale: 100860

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

DTC124ECAT116

Stock parziale: 124285

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC024XUBTL

Stock parziale: 112952

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

DTA143XMT2L

Stock parziale: 143347

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTB114ECHZGT116

Stock parziale: 133

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased + Diode, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC013ZMT2L

Stock parziale: 156674

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

DTD513ZMGT2L

Stock parziale: 143

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

DTB123YCT116

Stock parziale: 160321

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA143EMFHAT2L

Stock parziale: 62

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Nexperia USA Inc.

PDTA123EMB,315

Stock parziale: 199181

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

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Nexperia USA Inc.

PDTB113EQAZ

Stock parziale: 158208

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 1 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

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Nexperia USA Inc.

PDTA143TMB,315

Stock parziale: 141527

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

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Nexperia USA Inc.

PDTA114EMB,315

Stock parziale: 100101

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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Nexperia USA Inc.

PDTA143ZMB,315

Stock parziale: 181351

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

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Nexperia USA Inc.

PDTC123EM,315

Stock parziale: 179496

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

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Nexperia USA Inc.

PDTA143ZQAZ

Stock parziale: 135307

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Alla lista dei desideri

Nexperia USA Inc.

PDTA143EQAZ

Stock parziale: 165890

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Nexperia USA Inc.

PDTA123TM,315

Stock parziale: 115518

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

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ON Semiconductor

SMUN2214T3G

Stock parziale: 151346

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

NSVMMUN2132LT1G

Stock parziale: 115381

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

SMMUN2213LT3G

Stock parziale: 177179

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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