Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, Prepolarizz | Prodotti a semiconduttore discreti | 88

DRA5114Y0L

Stock parziale: 178556

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

UNR421200A

Stock parziale: 2175

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

DRC9123E0L

Stock parziale: 191370

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

UNR411900A

Stock parziale: 2244

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

UNR511D00L

Stock parziale: 107975

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

DRA9144V0L

Stock parziale: 178916

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

DRC3123J0L

Stock parziale: 104526

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

DRA3144T0L

Stock parziale: 111296

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

UNR31A100L

Stock parziale: 2228

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

DRA3124E0L

Stock parziale: 197096

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

DRA2123E0L

Stock parziale: 112166

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

UNR412200A

Stock parziale: 2280

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

UNR52A1G0L

Stock parziale: 2188

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

DRA2144V0L

Stock parziale: 131595

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

DRC5115E0L

Stock parziale: 153550

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 100 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 100 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

UNR32A400L

Stock parziale: 2175

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

DRA9143Z0L

Stock parziale: 184563

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

UNR212400L

Stock parziale: 2236

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

FJV4103RMTF

Stock parziale: 2286

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

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ON Semiconductor

FJN4312RBU

Stock parziale: 2260

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 40V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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Diodes Incorporated

DDTA114WUA-7

Stock parziale: 3290

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V,

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Diodes Incorporated

DDTD122TC-7-F

Stock parziale: 184792

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 220 Ohms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

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Diodes Incorporated

DDTA143ECA-7

Stock parziale: 2255

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V,

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Diodes Incorporated

DDTA123JUA-7-F

Stock parziale: 183188

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Diodes Incorporated

DDTC143TE-7

Stock parziale: 2196

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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Diodes Incorporated

DDTC123EUA-7

Stock parziale: 2191

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

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Diodes Incorporated

DDTA114GCA-7-F

Stock parziale: 165191

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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Diodes Incorporated

DDTA143ZE-7

Stock parziale: 2196

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Alla lista dei desideri

Diodes Incorporated

DDTC114GE-7

Stock parziale: 2193

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2302,LF

Stock parziale: 145

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2403,LF

Stock parziale: 88

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2110MFV,L3F

Stock parziale: 174

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Micro Commercial Co

DTA143ECA-TP

Stock parziale: 106223

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC114TSATP

Stock parziale: 2234

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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Nexperia USA Inc.

PDTD113EQAZ

Stock parziale: 130400

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 1 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTA114EK,115

Stock parziale: 2166

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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