Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, Prepolarizz

UNR411800A

Stock parziale: 2223

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 510 Ohms, Resistenza - Base emettitore (R2): 5.1 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

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UNR221400L

Stock parziale: 2185

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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DRA2114T0L

Stock parziale: 184240

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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DRA9144W0L

Stock parziale: 130820

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

DRA3144V0L

Stock parziale: 116159

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

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RN1117MFV,L3F

Stock parziale: 165156

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111MFV,L3F

Stock parziale: 146

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1310(TE85L,F)

Stock parziale: 2124

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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NSBA123JF3T5G

Stock parziale: 132842

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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DTA144TM3T5G

Stock parziale: 151038

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V,

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NSBA123EF3T5G

Stock parziale: 194582

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

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DTA114YET1

Stock parziale: 2214

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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FJN4308RBU

Stock parziale: 2246

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

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NSVMUN5131T1G

Stock parziale: 176865

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

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FJN3304RTA

Stock parziale: 2280

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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FJNS4211RTA

Stock parziale: 2283

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 40V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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FJNS4210RBU

Stock parziale: 2290

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 40V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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NSBA124XF3T5G

Stock parziale: 157846

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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FJNS3213RTA

Stock parziale: 2240

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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MUN5214T1

Stock parziale: 2199

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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FJN3307RBU

Stock parziale: 2295

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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MUN5236T1

Stock parziale: 2233

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 100 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 100 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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FJN4307RTA

Stock parziale: 2267

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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MMUN2241LT1G

Stock parziale: 3231

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 100 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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FJN4310RTA

Stock parziale: 2217

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 40V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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MMUN2213LT1

Stock parziale: 2255

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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DDTA113ZE-7-F

Stock parziale: 137522

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

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DDTC123YUA-7

Stock parziale: 2151

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

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DDTA113ZUA-7

Stock parziale: 2167

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

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DDTB143TC-7-F

Stock parziale: 157201

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

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DDTA115ECA-7-F

Stock parziale: 3291

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 100 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 100 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

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