Transistor - Bipolari (BJT) - Array, Pre-polarizza | Prodotti a semiconduttore discreti | 42

MUN5216DW1T1

Stock parziale: 1438

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

NSBC143ZPDXV6T1G

Stock parziale: 154023

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

NSBC123JDXV6T5

Stock parziale: 1465

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

NSVB124XPDXV6T1G

Stock parziale: 133175

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

NSBA113EDXV6T1G

Stock parziale: 168681

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 1 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

MUN5113DW1T1G

Stock parziale: 163385

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

EMC5DXV5T1

Stock parziale: 3198

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

SMUN5315DW1T1G

Stock parziale: 151022

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

MUN5111DW1T1G

Stock parziale: 182502

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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ON Semiconductor

NSBC114YDXV6T5G

Stock parziale: 152242

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2906,LF

Stock parziale: 138883

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2908(T5L,F,T)

Stock parziale: 1489

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2901(T5L,F,T)

Stock parziale: 1507

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1970FE(TE85L,F)

Stock parziale: 1480

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2603(TE85L,F)

Stock parziale: 181191

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN4903(T5L,F,T)

Stock parziale: 1463

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2968FE(TE85L,F)

Stock parziale: 1523

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Diodes Incorporated

DDA144EK-7-F

Stock parziale: 124106

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Diodes Incorporated

DDA124EK-7-F

Stock parziale: 116873

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

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Diodes Incorporated

DDA114YU-7

Stock parziale: 1386

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

IMB4AT110

Stock parziale: 116363

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

UMF8NTR

Stock parziale: 111347

Tipo di transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, 15V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

FMG5AT148

Stock parziale: 191530

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

UMD6NTR

Stock parziale: 125967

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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Panasonic Electronic Components

XP0621000L

Stock parziale: 1473

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

DMG264020R

Stock parziale: 139566

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

XN0111M00L

Stock parziale: 1478

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

XP0421M00L

Stock parziale: 1422

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

NP0G3A000A

Stock parziale: 1454

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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Nexperia USA Inc.

PBLS6004D,115

Stock parziale: 100158

Tipo di transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, 700mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, 60V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V,

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Nexperia USA Inc.

PIMN31,115

Stock parziale: 149516

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

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Nexperia USA Inc.

PEMH9,115

Stock parziale: 174446

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

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Nexperia USA Inc.

PUMD17,115

Stock parziale: 141367

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

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Nexperia USA Inc.

PUMB2,115

Stock parziale: 142176

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PBLS4001V,115

Stock parziale: 1384

Tipo di transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, 40V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

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NXP USA Inc.

PBLS4002V,115

Stock parziale: 1498

Tipo di transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, 40V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

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