Transistor - Bipolari (BJT) - Array, Pre-polarizza | Prodotti a semiconduttore discreti | 42

BCR148SE6327BTSA1

Stock parziale: 1486

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR148SE6433HTMA1

Stock parziale: 1436

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR141SE6327BTSA1

Stock parziale: 1483

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR135SE6327BTSA1

Stock parziale: 1438

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR133SE6433BTMA1

Stock parziale: 1430

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR133SE6327BTSA1

Stock parziale: 1432

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR133SB6327XT

Stock parziale: 1446

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR129SE6327HTSA1

Stock parziale: 1436

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR119SE6327BTSA1

Stock parziale: 1514

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR119SE6433HTMA1

Stock parziale: 1484

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR10PNE6327BTSA1

Stock parziale: 3226

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR116SE6327BTSA1

Stock parziale: 1508

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR10PNB6327XT

Stock parziale: 1434

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR108SE6433HTMA1

Stock parziale: 3160

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR108SE6327BTSA1

Stock parziale: 1446

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR08PNE6433HTMA1

Stock parziale: 1474

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR08PNB6327XT

Stock parziale: 1446

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR185SH6327XTSA1

Stock parziale: 190692

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR133SH6327XTSA1

Stock parziale: 154561

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR10PNH6327XTSA1

Stock parziale: 107213

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR523UE6327HTSA1

Stock parziale: 160743

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

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BCR523UE6433HTMA1

Stock parziale: 117288

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

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BCR22PNH6327XTSA1

Stock parziale: 146001

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR135SH6327XTSA1

Stock parziale: 174225

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR183UE6327HTSA1

Stock parziale: 1373

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR135SH6827XTSA1

Stock parziale: 1406

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR108SH6327XTSA1

Stock parziale: 184476

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR169SH6327XTSA1

Stock parziale: 186972

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR10PNH6730XTMA1

Stock parziale: 148154

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR119SH6327XTSA1

Stock parziale: 109837

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR133SH6433XTMA1

Stock parziale: 167454

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR48PNH6433XTMA1

Stock parziale: 144419

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA, 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR35PNH6433XTMA1

Stock parziale: 140826

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR10PNH6727XTSA1

Stock parziale: 147753

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR198SH6327XTSA1

Stock parziale: 199823

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR08PNH6433XTMA1

Stock parziale: 193696

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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