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Diodi - Capacità variabile (Varicaps, Varac

BB182LX,315
NXP USA Inc.

BB182LX,315

Stock parziale: 7433

Capacità @ Vr, F: 2.89pF @ 28V, 1MHz, Rapporto di capacità: 22, Condizione del rapporto di capacità: C1/C28, Tensione - Picco inverso (Max): 32V, Tipo di diodo: Single,

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BB187LX,315
NXP USA Inc.

BB187LX,315

Stock parziale: 7419

Capacità @ Vr, F: 2.92pF @ 25V, 1MHz, Rapporto di capacità: 11, Condizione del rapporto di capacità: C2/C25, Tensione - Picco inverso (Max): 32V, Tipo di diodo: Single,

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BB198,115
NXP USA Inc.

BB198,115

Stock parziale: 7412

Capacità @ Vr, F: 6.8pF @ 4V, 1MHz, Rapporto di capacità: 4.3, Condizione del rapporto di capacità: C1/C4, Tensione - Picco inverso (Max): 20V, Tipo di diodo: Single,

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BB199,115
NXP USA Inc.

BB199,115

Stock parziale: 7462

Capacità @ Vr, F: 13.8pF @ 2V, 1MHz, Rapporto di capacità: 2.8, Condizione del rapporto di capacità: C0.5/C2, Tensione - Picco inverso (Max): 20V, Tipo di diodo: Single,

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BBY40,235
NXP USA Inc.

BBY40,235

Stock parziale: 168376

Capacità @ Vr, F: 6pF @ 25V, 1MHz, Rapporto di capacità: 6.5, Condizione del rapporto di capacità: C3/C25, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single,

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BBY40TA
Diodes Incorporated

BBY40TA

Stock parziale: 7417

Capacità @ Vr, F: 6pF @ 25V, 1MHz, Rapporto di capacità: 6.5, Condizione del rapporto di capacità: C3/C25, Tensione - Picco inverso (Max): 28V, Tipo di diodo: Single,

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ZMV933ATC
Diodes Incorporated

ZMV933ATC

Stock parziale: 7472

Capacità @ Vr, F: 12pF @ 4V, 50MHz, Tensione - Picco inverso (Max): 12V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 150 @ 4V, 50MHz,

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ZC835BTA
Diodes Incorporated

ZC835BTA

Stock parziale: 4775

Capacità @ Vr, F: 71.4pF @ 2V, 1MHz, Rapporto di capacità: 6.5, Condizione del rapporto di capacità: C2/C20, Tensione - Picco inverso (Max): 25V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 50MHz,

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ZC831BTC
Diodes Incorporated

ZC831BTC

Stock parziale: 7460

Capacità @ Vr, F: 15.75pF @ 2V, 1MHz, Rapporto di capacità: 6, Condizione del rapporto di capacità: C2/C20, Tensione - Picco inverso (Max): 25V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,

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ZC934TA
Diodes Incorporated

ZC934TA

Stock parziale: 7422

Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 50MHz, Tensione - Picco inverso (Max): 12V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 80 @ 4V, 50MHz,

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BBY6502VH6327XTSA1
Infineon Technologies

BBY6502VH6327XTSA1

Stock parziale: 24303

Capacità @ Vr, F: 2.8pF @ 4.7V, 1MHz, Rapporto di capacità: 10.9, Condizione del rapporto di capacità: C0.3/C4.7, Tensione - Picco inverso (Max): 15V, Tipo di diodo: Single,

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BBY5802VH6327XTSA1
Infineon Technologies

BBY5802VH6327XTSA1

Stock parziale: 140858

Capacità @ Vr, F: 5.5pF @ 6V, 1MHz, Rapporto di capacità: 3.5, Condizione del rapporto di capacità: C1/C4, Tensione - Picco inverso (Max): 10V, Tipo di diodo: Single,

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BBY5602VH6327XTSA1
Infineon Technologies

BBY5602VH6327XTSA1

Stock parziale: 111364

Capacità @ Vr, F: 12.1pF @ 4V, 1MHz, Rapporto di capacità: 3.3, Condizione del rapporto di capacità: C1/C3, Tensione - Picco inverso (Max): 10V, Tipo di diodo: Single,

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BB814E6327GR1HTSA1
Infineon Technologies

BB814E6327GR1HTSA1

Stock parziale: 38777

Capacità @ Vr, F: 22.7pF @ 8V, 1MHz, Rapporto di capacità: 2.25, Condizione del rapporto di capacità: C2/C8, Tensione - Picco inverso (Max): 18V, Tipo di diodo: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 200 @ 2V, 100MHz,

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BB640E6327HTSA1
Infineon Technologies

BB640E6327HTSA1

Stock parziale: 117415

Capacità @ Vr, F: 3.3pF @ 28V, 1MHz, Rapporto di capacità: 25, Condizione del rapporto di capacità: C1/C28, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single,

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BB639E7904HTSA1
Infineon Technologies

BB639E7904HTSA1

Stock parziale: 182940

Capacità @ Vr, F: 2.9pF @ 28V, 1MHz, Rapporto di capacità: 14.7, Condizione del rapporto di capacità: C1/C28, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single,

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BBY5702VH6327XTSA1
Infineon Technologies

BBY5702VH6327XTSA1

Stock parziale: 159125

Capacità @ Vr, F: 5.5pF @ 4V, 1MHz, Rapporto di capacità: 4.5, Condizione del rapporto di capacità: C1/C4, Tensione - Picco inverso (Max): 10V, Tipo di diodo: Single,

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BB439E6327HTSA1
Infineon Technologies

BB439E6327HTSA1

Stock parziale: 117625

Capacità @ Vr, F: 6pF @ 25V, 1MHz, Rapporto di capacità: 8, Condizione del rapporto di capacità: C2/C25, Tensione - Picco inverso (Max): 28V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 600 @ 25V, 200MHz,

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BBY6605WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BBY6605WH6327XTSA1

Stock parziale: 159372

Capacità @ Vr, F: 13.5pF @ 4.5V, 1MHz, Rapporto di capacità: 5.41, Condizione del rapporto di capacità: C1/C4.5, Tensione - Picco inverso (Max): 12V, Tipo di diodo: 1 Pair Common Cathode,

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BB837E6327HTSA1
Infineon Technologies

BB837E6327HTSA1

Stock parziale: 116008

Capacità @ Vr, F: 0.52pF @ 28V, 1MHz, Rapporto di capacità: 12, Condizione del rapporto di capacità: C1/C25, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single,

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BB85702VH7902XTSA1
Infineon Technologies

BB85702VH7902XTSA1

Stock parziale: 196018

Capacità @ Vr, F: 0.52pF @ 28V, 1MHz, Rapporto di capacità: 12.7, Condizione del rapporto di capacità: C1/C28, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single,

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BB535E7904HTSA1
Infineon Technologies

BB535E7904HTSA1

Stock parziale: 125300

Capacità @ Vr, F: 2.3pF @ 28V, 1MHz, Rapporto di capacità: 9.8, Condizione del rapporto di capacità: C1/C28, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single,

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MA2S37200L
Panasonic Electronic Components

MA2S37200L

Stock parziale: 7475

Capacità @ Vr, F: 2.287pF @ 25V, 1MHz, Rapporto di capacità: 6.22, Condizione del rapporto di capacità: C2/C25, Tensione - Picco inverso (Max): 32V, Tipo di diodo: Single,

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MA27V2300L
Panasonic Electronic Components

MA27V2300L

Stock parziale: 7421

Capacità @ Vr, F: 1.1pF @ 4V, 1MHz, Rapporto di capacità: 2.34, Condizione del rapporto di capacità: C1/C4, Tensione - Picco inverso (Max): 6V, Tipo di diodo: Single,

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MA26V0400A
Panasonic Electronic Components

MA26V0400A

Stock parziale: 4768

Capacità @ Vr, F: 6.4pF @ 3V, 1MHz, Tensione - Picco inverso (Max): 6V, Tipo di diodo: Single,

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SMV1212-079LF
Skyworks Solutions Inc.

SMV1212-079LF

Stock parziale: 191965

Capacità @ Vr, F: 12pF @ 4V, 50MHz, Rapporto di capacità: 5, Condizione del rapporto di capacità: C1/C4, Tensione - Picco inverso (Max): 12V, Tipo di diodo: Single,

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SMV2201-040LF
Skyworks Solutions Inc.

SMV2201-040LF

Stock parziale: 101588

Tensione - Picco inverso (Max): 22V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 500 @ 4V, 50MHz,

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SMV1235-001LF
Skyworks Solutions Inc.

SMV1235-001LF

Stock parziale: 7510

Capacità @ Vr, F: 3.6pF @ 6V, 50MHz, Rapporto di capacità: 3.4, Condizione del rapporto di capacità: C1/C6, Tensione - Picco inverso (Max): 15V, Tipo di diodo: Single,

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SMV1272-079LF
Skyworks Solutions Inc.

SMV1272-079LF

Stock parziale: 178632

Capacità @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz, Rapporto di capacità: 3, Condizione del rapporto di capacità: C1/C4, Tensione - Picco inverso (Max): 15V, Tipo di diodo: Single,

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SMV1129-079LF
Skyworks Solutions Inc.

SMV1129-079LF

Stock parziale: 182410

Rapporto di capacità: 2.5, Condizione del rapporto di capacità: C1/C6, Tensione - Picco inverso (Max): 12V, Tipo di diodo: Single,

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GVD30603-001
Sprague-Goodman

GVD30603-001

Stock parziale: 64

Capacità @ Vr, F: 19pF @ 20V, 50MHz, Tensione - Picco inverso (Max): 20V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 80 @ 4V, 50MHz,

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SVC203C-TB-E
ON Semiconductor

SVC203C-TB-E

Stock parziale: 178025

Capacità @ Vr, F: 13.4pF @ 9V, 1MHz, Rapporto di capacità: 4.6, Condizione del rapporto di capacità: C1/C9, Tensione - Picco inverso (Max): 16V, Tipo di diodo: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 60 @ 3V, 100MHz,

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MMBV109LT3G
ON Semiconductor

MMBV109LT3G

Stock parziale: 7476

Capacità @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Rapporto di capacità: 6.5, Condizione del rapporto di capacità: C3/C25, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

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MMBV409LT1
ON Semiconductor

MMBV409LT1

Stock parziale: 4762

Capacità @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Rapporto di capacità: 1.9, Condizione del rapporto di capacità: C3/C8, Tensione - Picco inverso (Max): 20V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

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MMBV3102LT1
ON Semiconductor

MMBV3102LT1

Stock parziale: 7497

Capacità @ Vr, F: 25pF @ 3V, 1MHz, Rapporto di capacità: 4.8, Condizione del rapporto di capacità: C3/C25, Tensione - Picco inverso (Max): 30V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

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MA46H201-1056
M/A-Com Technology Solutions

MA46H201-1056

Stock parziale: 3559

Capacità @ Vr, F: 1.1pF @ 4V, 1MHz, Rapporto di capacità: 4.1, Condizione del rapporto di capacità: C2/C20, Tensione - Picco inverso (Max): 22V, Tipo di diodo: Single, Q @ Vr, F: 3000 @ 4V, 50MHz,

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