Stock parziale: 121
Tipo FET: 4 N-Channel (Three Level Inverter), Funzione FET: Silicon Carbide (SiC), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1200V (1.2kV), Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 219A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ),