Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH - NOR, Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns,
Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FRAM, Tecnologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns,
Tipo di memoria: Volatile, Formato memoria: SRAM, Tecnologia: SRAM - Synchronous, Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36), Frequenza di clock: 250MHz,
Tipo di memoria: Volatile, Formato memoria: SRAM, Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR II, Dimensione della memoria: 18Mb (1M x 18), Frequenza di clock: 300MHz,
Tipo di memoria: Volatile, Formato memoria: SRAM, Tecnologia: SRAM - Asynchronous, Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns,
Tipo di memoria: Volatile, Formato memoria: SRAM, Tecnologia: SRAM - Asynchronous, Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns,
Tipo di memoria: Volatile, Formato memoria: SRAM, Tecnologia: SRAM - Asynchronous, Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns,
Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH - NOR, Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns,
Tipo di memoria: Volatile, Formato memoria: SRAM, Tecnologia: SRAM - Asynchronous, Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns,
Tipo di memoria: Volatile, Formato memoria: SRAM, Tecnologia: SRAM - Asynchronous, Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns,
Tipo di memoria: Volatile, Formato memoria: SRAM, Tecnologia: SRAM - Asynchronous, Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns,
Tipo di memoria: Volatile, Formato memoria: SRAM, Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR II+, Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36), Frequenza di clock: 400MHz,
Tipo di memoria: Volatile, Formato memoria: SRAM, Tecnologia: SRAM - Asynchronous, Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns,
