Transistor - FET, MOSFET - Singoli | Prodotti a semiconduttore discreti | 40

ZVN2120ASTOB

Stock parziale: 9780

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVNL120ASTOA

Stock parziale: 5991

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP1320A

Stock parziale: 9856

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 70mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN3306FTC

Stock parziale: 9843

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP1320ASTZ

Stock parziale: 9873

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 70mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMN2A01E6TC

Stock parziale: 9849

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

ZVP0120ASTOB

Stock parziale: 9836

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 110mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 Ohm @ 125mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN3320ASTOB

Stock parziale: 9826

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN0124ASTOB

Stock parziale: 6076

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 240V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 160mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN4525GTC

Stock parziale: 9875

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 250V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 310mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN4306AVSTZ

Stock parziale: 9822

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP4424GTC

Stock parziale: 9832

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 240V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 480mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 200mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP1320ASTOB

Stock parziale: 6070

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 70mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP3306ASTZ

Stock parziale: 9812

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 160mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMN2A02X8TC

Stock parziale: 5985

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 11A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

VN10LFTC

Stock parziale: 9787

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP3310ASTOA

Stock parziale: 5987

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 140mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMN6A08E6TC

Stock parziale: 9889

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.8A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXM64N03XTC

Stock parziale: 9824

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.7A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN0124ZSTOB

Stock parziale: 9843

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 240V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 160mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP2106ASTOA

Stock parziale: 9836

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 280mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN2535ASTZ

Stock parziale: 9837

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 350V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 90mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 Ohm @ 100mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVNL120CSTOB

Stock parziale: 9821

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 5V,

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Diodes Incorporated

ZVN3310A

Stock parziale: 85236

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN3310ASTOA

Stock parziale: 9838

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP0545ASTOA

Stock parziale: 9816

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 450V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 45mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 Ohm @ 50mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP3310ASTZ

Stock parziale: 9830

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 140mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXM66P02N8TC

Stock parziale: 6016

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

ZVN0540ASTOA

Stock parziale: 9856

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 400V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 90mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN4206ASTOB

Stock parziale: 6003

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 600mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN2110GTC

Stock parziale: 9873

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN0545ASTOA

Stock parziale: 9841

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 450V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 90mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMN10B08E6TC

Stock parziale: 9861

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 1.6A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMN2A01FTC

Stock parziale: 9864

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

ZVP2120ASTOB

Stock parziale: 9833

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 120mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 150mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVNL120CSTZ

Stock parziale: 5997

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 5V,

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