Transistor - FET, MOSFET - Singoli

2N7639-GA

Stock parziale: 318

Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 15A (Tc) (155°C), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 15A,

2N7638-GA

Stock parziale: 339

Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (158°C), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 8A,

2N7637-GA

Stock parziale: 369

Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 7A (Tc) (165°C), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 7A,

2N7636-GA

Stock parziale: 431

Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415 mOhm @ 4A,

2N7635-GA

Stock parziale: 376

Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415 mOhm @ 4A,

2N7640-GA

Stock parziale: 339

Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 16A (Tc) (155°C), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 16A,

GA10SICP12-263

Stock parziale: 1777

Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 10A,

GA50JT06-258

Stock parziale: 161

Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 50A,

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Stock parziale: 1073

Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 300V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 5A,

GA50JT12-247

Stock parziale: 733

Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 50A,

GA05JT01-46

Stock parziale: 1236

Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 5A,

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Stock parziale: 2389

Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1700V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (95°C), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 4A,

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Stock parziale: 1402

Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1700V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (90°C), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 8A,

GA20JT12-263

Stock parziale: 1840

Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 20A,

GA10JT12-263

Stock parziale: 3360

Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 10A,

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Stock parziale: 5916

Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 15A (Tc),

GA50JT12-263

Stock parziale: 816

GA100JT17-227

Stock parziale: 253

Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1700V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 100A,

GA100JT12-227

Stock parziale: 460

Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 100A,

GA20JT12-247

Stock parziale: 2717

Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 20A,

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Stock parziale: 925

Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1700V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 16A (Tc) (90°C), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 16A,

GA10JT12-247

Stock parziale: 3338

Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 10A,

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Stock parziale: 7277

Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3A (Tc) (95°C), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 3A,

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Stock parziale: 1734

Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 20A,

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Stock parziale: 438

Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1700V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 50A,

GA05JT12-247

Stock parziale: 10854

Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5A,

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Stock parziale: 6819

Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6A (Tc) (90°C), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 6A,