Diodi - Raddrizzatori a ponte | Prodotti a semiconduttore discreti | 1

GHXS010A060S-D1

Stock parziale: 2081

Tipo di diodo: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Picco inverso (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V,

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GHXS045A120S-D1

Stock parziale: 537

Tipo di diodo: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Picco inverso (Max): 1.2kV, Corrente - Media Rettificata (Io): 45A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 45A, Corrente - Perdita inversa @ Vr: 300µA @ 1200V,

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GHXS045A120S-D1E

Stock parziale: 534

Tipo di diodo: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Picco inverso (Max): 1.2kV, Corrente - Media Rettificata (Io): 45A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 45A, Corrente - Perdita inversa @ Vr: 300µA @ 1200V,

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GHXS015A120S-D1E

Stock parziale: 1190

Tipo di diodo: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Picco inverso (Max): 1.2kV, Corrente - Media Rettificata (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 15A, Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V,

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GHXS015A120S-D1

Stock parziale: 1154

Tipo di diodo: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Picco inverso (Max): 1.2kV, Corrente - Media Rettificata (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 15A, Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V,

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GHXS020A060S-D1

Stock parziale: 1478

Tipo di diodo: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Picco inverso (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A, Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 600V,

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Stock parziale: 1214

Tipo di diodo: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Picco inverso (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A, Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V,

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GHXS030A120S-D1

Stock parziale: 658

Tipo di diodo: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Picco inverso (Max): 1.2kV, Corrente - Media Rettificata (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A, Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V,

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GHXS030A120S-D1E

Stock parziale: 720

Tipo di diodo: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Picco inverso (Max): 1.2kV, Corrente - Media Rettificata (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A, Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V,

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Stock parziale: 1471

Tipo di diodo: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Picco inverso (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A, Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 600V,

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Stock parziale: 2062

Tipo di diodo: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Picco inverso (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V,

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Stock parziale: 1161

Tipo di diodo: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Picco inverso (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A, Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V,

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