Transistor - FET, MOSFET - Singoli

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Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Infineon Technologies

IRFH5250TR2PBF

Stock parziale: 855

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 25V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15 mOhm @ 50A, 10V,

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IPB80N06S4L05ATMA1

Infineon Technologies

IPB80N06S4L05ATMA1

Stock parziale: 932

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 80A, 10V,

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IRF7769L2TR1PBF

Infineon Technologies

IRF7769L2TR1PBF

Stock parziale: 928

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 375A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 74A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFR3410TRRPBF

Stock parziale: 923

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 18A, 10V,

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Infineon Technologies

IRLU2905ZPBF

Stock parziale: 44991

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 55V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 36A, 10V,

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Infineon Technologies

SI3443DVTRPBF

Stock parziale: 994

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4.4A, 4.5V,

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IPB034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

IPB034N06N3GATMA1

Stock parziale: 952

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 100A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF9321PBF

Stock parziale: 6152

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 15A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF9393PBF

Stock parziale: 6188

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3 mOhm @ 9.2A, 20V,

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Infineon Technologies

IRF7475TRPBF

Stock parziale: 1012

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 12V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8.8A, 4.5V,

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Infineon Technologies

IRF5210PBF

Stock parziale: 33215

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 24A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFH5106TR2PBF

Stock parziale: 966

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 50A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF6708S2TRPBF

Stock parziale: 995

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 13A, 10V,

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IPA90R340C3XKSA1

Infineon Technologies

IPA90R340C3XKSA1

Stock parziale: 11571

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 900V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 9.2A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFH6200TR2PBF

Stock parziale: 933

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95 mOhm @ 50A, 10V,

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IRFHM830DTR2PBF

Infineon Technologies

IRFHM830DTR2PBF

Stock parziale: 984

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 20A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFP4110PBF

Stock parziale: 16957

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF7815PBF

Stock parziale: 906

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 150V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.1A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFH5204TRPBF

Stock parziale: 1051

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 50A, 10V,

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SPW20N60C3FKSA1

Infineon Technologies

SPW20N60C3FKSA1

Stock parziale: 12209

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 13.1A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF7707TRPBF

Stock parziale: 1001

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V,

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Infineon Technologies

IRF7705TRPBF

Stock parziale: 6096

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF9392PBF

Stock parziale: 6197

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1 mOhm @ 7.8A, 20V,

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Infineon Technologies

IRF6201PBF

Stock parziale: 967

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 27A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45 mOhm @ 27A, 4.5V,

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Infineon Technologies

IRFH5007TR2PBF

Stock parziale: 924

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 75V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 50A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF6713STRPBF

Stock parziale: 987

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 25V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 95A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 22A, 10V,

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Infineon Technologies

IPD60R3K3C6

Stock parziale: 1044

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 Ohm @ 500mA, 10V,

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IPP60R450E6XKSA1

Infineon Technologies

IPP60R450E6XKSA1

Stock parziale: 1048

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 3.4A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFR3505TRPBF

Stock parziale: 953

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 55V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V,

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IPB021N06N3GATMA1

Infineon Technologies

IPB021N06N3GATMA1

Stock parziale: 944

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 100A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF6655TR1

Stock parziale: 915

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 19A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 5A, 10V,

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IPB120N06S402ATMA1

Infineon Technologies

IPB120N06S402ATMA1

Stock parziale: 956

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 100A, 10V,

Lista dei desideri

IRF7779L2TR1PBF

Infineon Technologies

IRF7779L2TR1PBF

Stock parziale: 874

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 150V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 375A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 40A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF6798MTR1PBF

Stock parziale: 920

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 25V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 197A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 37A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF6794MTRPBF

Stock parziale: 970

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 25V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 200A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 32A, 10V,

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IPI80P03P4L07AKSA1

Infineon Technologies

IPI80P03P4L07AKSA1

Stock parziale: 82259

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 80A, 10V,

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