Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Casa
Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Infineon Technologies

IRF6713STR1PBF

Stock parziale: 609

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 25V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 95A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 22A, 10V,

Lista dei desideri

IPP80N06S205AKSA1

Infineon Technologies

IPP80N06S205AKSA1

Stock parziale: 792

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 55V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 80A, 10V,

Lista dei desideri

Infineon Technologies

IRFSL4115PBF

Stock parziale: 861

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 150V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1 mOhm @ 62A, 10V,

Lista dei desideri

Infineon Technologies

SN7002W L6327

Stock parziale: 839

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 230mA, 10V,

Lista dei desideri

Infineon Technologies

IRFR3910TRPBF

Stock parziale: 188719

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 10A, 10V,

Lista dei desideri

Infineon Technologies

IPU103N08N3 G

Stock parziale: 813

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 80V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3 mOhm @ 46A, 10V,

Lista dei desideri

Infineon Technologies

IRFP4368PBF

Stock parziale: 9954

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 75V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85 mOhm @ 195A, 10V,

Lista dei desideri

IPB34CN10NGATMA1

Infineon Technologies

IPB34CN10NGATMA1

Stock parziale: 809

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 27A, 10V,

Lista dei desideri

IPD160N04LGBTMA1

Infineon Technologies

IPD160N04LGBTMA1

Stock parziale: 818

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 30A, 10V,

Lista dei desideri

Infineon Technologies

IRFS4010-7PPBF

Stock parziale: 629

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 190A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 110A, 10V,

Lista dei desideri

Infineon Technologies

IPD50R520CP

Stock parziale: 6089

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 550V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V,

Lista dei desideri

Infineon Technologies

IRFS5620TRLPBF

Stock parziale: 640

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5 mOhm @ 15A, 10V,

Lista dei desideri

Infineon Technologies

IRF7450TRPBF

Stock parziale: 105126

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.5A, 10V,

Lista dei desideri

IPB100N06S205ATMA1

Infineon Technologies

IPB100N06S205ATMA1

Stock parziale: 804

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 55V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 80A, 10V,

Lista dei desideri

Infineon Technologies

IRFH7914TR2PBF

Stock parziale: 834

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 35A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 14A, 10V,

Lista dei desideri

IPB80N06S2H5ATMA1

Infineon Technologies

IPB80N06S2H5ATMA1

Stock parziale: 808

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 55V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 80A, 10V,

Lista dei desideri

Infineon Technologies

IRFH5053TRPBF

Stock parziale: 87092

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9.3A, 10V,

Lista dei desideri

Infineon Technologies

IRF6729MTR1PBF

Stock parziale: 821

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 190A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 31A, 10V,

Lista dei desideri

IPI80N04S204AKSA1

Infineon Technologies

IPI80N04S204AKSA1

Stock parziale: 840

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 80A, 10V,

Lista dei desideri

IPI80N06S2L05AKSA1

Infineon Technologies

IPI80N06S2L05AKSA1

Stock parziale: 750

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 55V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 80A, 10V,

Lista dei desideri

IPB80N06S209ATMA1

Infineon Technologies

IPB80N06S209ATMA1

Stock parziale: 6080

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 55V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 50A, 10V,

Lista dei desideri

SPP15N60CFDHKSA1

Infineon Technologies

SPP15N60CFDHKSA1

Stock parziale: 768

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 9.4A, 10V,

Lista dei desideri

Infineon Technologies

IRF40R207

Stock parziale: 112715

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 55A, 10V,

Lista dei desideri

IPD068N10N3GBTMA1

Infineon Technologies

IPD068N10N3GBTMA1

Stock parziale: 759

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 90A, 10V,

Lista dei desideri

Infineon Technologies

IRFHS8342TRPBF

Stock parziale: 198501

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8.5A, 10V,

Lista dei desideri

IRFR15N20DTRPBF

Infineon Technologies

IRFR15N20DTRPBF

Stock parziale: 131500

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 10A, 10V,

Lista dei desideri

Infineon Technologies

IRLR8256TRPBF

Stock parziale: 172098

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 25V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 81A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 25A, 10V,

Lista dei desideri

Infineon Technologies

IRFSL3004PBF

Stock parziale: 869

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 195A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 mOhm @ 195A, 10V,

Lista dei desideri

IPB60R250CPATMA1

Infineon Technologies

IPB60R250CPATMA1

Stock parziale: 785

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7.8A, 10V,

Lista dei desideri

IPB80N06S2L09ATMA1

Infineon Technologies

IPB80N06S2L09ATMA1

Stock parziale: 6112

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 55V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 52A, 10V,

Lista dei desideri

Infineon Technologies

IRFU4620PBF

Stock parziale: 6147

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 15A, 10V,

Lista dei desideri

Infineon Technologies

IPB12CN10N G

Stock parziale: 756

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 67A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 67A, 10V,

Lista dei desideri

Infineon Technologies

IRF7201TRPBF

Stock parziale: 109705

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.3A, 10V,

Lista dei desideri

IPP80N06S208AKSA1

Infineon Technologies

IPP80N06S208AKSA1

Stock parziale: 809

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 55V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 58A, 10V,

Lista dei desideri

Infineon Technologies

IRLH7134TRPBF

Stock parziale: 103354

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 85A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 50A, 10V,

Lista dei desideri

Infineon Technologies

IRF7809AVTRPBF

Stock parziale: 163838

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 15A, 4.5V,

Lista dei desideri

3600

«
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
»