Transistor - FET, MOSFET - Singoli

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Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Infineon Technologies

SPB80N03S2L-04

Stock parziale: 215

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 80A, 10V,

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IPB100N06S3L-04

Infineon Technologies

IPB100N06S3L-04

Stock parziale: 315

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 55V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 80A, 10V,

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IPI60R385CPXKSA1

Infineon Technologies

IPI60R385CPXKSA1

Stock parziale: 52394

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 5.2A, 10V,

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Infineon Technologies

SPP100N06S2-05

Stock parziale: 297

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 55V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 80A, 10V,

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Infineon Technologies

IPB06N03LAT

Stock parziale: 68

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 25V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 30A, 10V,

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IPD70P04P409ATMA1

Infineon Technologies

IPD70P04P409ATMA1

Stock parziale: 153256

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 73A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 70A, 10V,

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Infineon Technologies

IPB120N06N G

Stock parziale: 323

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 75A, 10V,

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Infineon Technologies

SPP80N06S2-09

Stock parziale: 293

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 55V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 50A, 10V,

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IPD70N03S4L04ATMA1

Infineon Technologies

IPD70N03S4L04ATMA1

Stock parziale: 16512

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 70A, 10V,

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Infineon Technologies

IPUH6N03LB G

Stock parziale: 186

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 50A, 10V,

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Infineon Technologies

SPP80N06S2L-06

Stock parziale: 213

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 55V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 69A, 10V,

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Infineon Technologies

IPP26CNE8N G

Stock parziale: 175

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 85V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 35A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFSL3307ZPBF

Stock parziale: 249

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 75V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 75A, 10V,

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Infineon Technologies

IPB100N06S3-03

Stock parziale: 6061

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 55V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 80A, 10V,

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SPP02N60S5HKSA1

Infineon Technologies

SPP02N60S5HKSA1

Stock parziale: 202

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.1A, 10V,

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Infineon Technologies

SPI100N03S2-03

Stock parziale: 228

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 80A, 10V,

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Infineon Technologies

IPP050N06N G

Stock parziale: 194

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 100A, 10V,

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SPB04N60S5ATMA1

Infineon Technologies

SPB04N60S5ATMA1

Stock parziale: 298

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.8A, 10V,

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SPD06N60C3BTMA1

Infineon Technologies

SPD06N60C3BTMA1

Stock parziale: 90582

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 3.9A, 10V,

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Infineon Technologies

SPP80N03S2L-03

Stock parziale: 6081

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 80A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF6637TR1PBF

Stock parziale: 65

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 14A, 10V,

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Infineon Technologies

IPP12CN10N G

Stock parziale: 132

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 67A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9 mOhm @ 67A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF6635TRPBF

Stock parziale: 6097

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 32A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF6631TR1PBF

Stock parziale: 133

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 13A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF6617TR1PBF

Stock parziale: 63

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 55A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 15A, 10V,

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Infineon Technologies

SPB80N06S2-08

Stock parziale: 247

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 55V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 58A, 10V,

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Infineon Technologies

IPUH6N03LA G

Stock parziale: 183

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 25V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 50A, 10V,

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Infineon Technologies

IPP12CNE8N G

Stock parziale: 171

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 85V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 67A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9 mOhm @ 67A, 10V,

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Infineon Technologies

IPB05N03LB

Stock parziale: 122

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 60A, 10V,

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Infineon Technologies

IPI100N06S3-03

Stock parziale: 109

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 55V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 80A, 10V,

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SPB80N03S2L-05 G

Infineon Technologies

SPB80N03S2L-05 G

Stock parziale: 187

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 55A, 10V,

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Infineon Technologies

IPP08CNE8N G

Stock parziale: 165

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 85V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 95A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 95A, 10V,

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SPB73N03S2L-08 G

Infineon Technologies

SPB73N03S2L-08 G

Stock parziale: 185

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 73A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 36A, 10V,

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Infineon Technologies

SPD07N60S5T

Stock parziale: 52

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.6A, 10V,

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Infineon Technologies

SN7002W E6433

Stock parziale: 210

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 230mA, 10V,

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SPP07N65C3HKSA1

Infineon Technologies

SPP07N65C3HKSA1

Stock parziale: 209

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 650V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.6A, 10V,

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