Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, Prepolarizz

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Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, Prepolarizz

Infineon Technologies

BCR 135F E6327

Stock parziale: 2128

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR158E6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR158E6327HTSA1

Stock parziale: 111325

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR562E6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR562E6327HTSA1

Stock parziale: 174692

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

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BCR198E6393HTSA1

Infineon Technologies

BCR198E6393HTSA1

Stock parziale: 2061

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 519 E6327

Stock parziale: 2048

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 198T E6327

Stock parziale: 2013

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR166WE6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR166WE6327HTSA1

Stock parziale: 2057

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 162L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 162L3 E6327

Stock parziale: 2049

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

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BCR141WE6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR141WE6327HTSA1

Stock parziale: 2073

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 119 E6433

Stock parziale: 2021

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 129F E6327

Stock parziale: 2023

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 133F B6327

Stock parziale: 1978

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR108WE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR108WE6327BTSA1

Stock parziale: 2069

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 101T E6327

Stock parziale: 1992

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 100 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 100 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR505E6778HTSA1

Infineon Technologies

BCR505E6778HTSA1

Stock parziale: 5409

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

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BCR503E6393HTSA1

Infineon Technologies

BCR503E6393HTSA1

Stock parziale: 1955

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

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BCR183E6359HTMA1

Infineon Technologies

BCR183E6359HTMA1

Stock parziale: 1981

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR192E6785HTSA1

Infineon Technologies

BCR192E6785HTSA1

Stock parziale: 1986

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR148E6393HTSA1

Infineon Technologies

BCR148E6393HTSA1

Stock parziale: 2004

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR135E6359HTMA1

Infineon Technologies

BCR135E6359HTMA1

Stock parziale: 1907

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR133E6393HTSA1

Infineon Technologies

BCR133E6393HTSA1

Stock parziale: 3211

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 148W H6433

Stock parziale: 1910

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 569 E6327

Stock parziale: 1861

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 512 B6327

Stock parziale: 1858

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 199T E6327

Stock parziale: 1876

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 503 B6327

Stock parziale: 1882

Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 199F E6327

Stock parziale: 1910

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR 199L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 199L3 E6327

Stock parziale: 1899

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR198WE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR198WE6327BTSA1

Stock parziale: 1924

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Lista dei desideri

Infineon Technologies

BCR 198F E6327

Stock parziale: 1931

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 198L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 198L3 E6327

Stock parziale: 1885

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR196WE6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR196WE6327HTSA1

Stock parziale: 1922

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR198B6327HTLA1

Infineon Technologies

BCR198B6327HTLA1

Stock parziale: 1860

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 196T E6327

Stock parziale: 1855

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 196F E6327

Stock parziale: 1930

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Lista dei desideri

BCR 196L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 196L3 E6327

Stock parziale: 1883

Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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