Transistor - Bipolari (BJT) - Array, Pre-polarizza

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Transistor - Bipolari (BJT) - Array, Pre-polarizza

BCR35PNH6327XTSA1

Infineon Technologies

BCR35PNH6327XTSA1

Stock parziale: 152076

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 48PN H6727

Stock parziale: 1466

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA, 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 141S H6727

Stock parziale: 1531

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR35PNE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR35PNE6327BTSA1

Stock parziale: 1529

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 22PN H6727

Stock parziale: 1468

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 148S H6827

Stock parziale: 1537

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 133S H6444

Stock parziale: 1441

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 141S E6727

Stock parziale: 1506

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 116S H6727

Stock parziale: 3210

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 116S E6727

Stock parziale: 1473

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR108SH6433XTMA1

Infineon Technologies

BCR108SH6433XTMA1

Stock parziale: 1470

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR08PNE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR08PNE6327BTSA1

Stock parziale: 1495

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR48PNE6433BTMA1

Infineon Technologies

BCR48PNE6433BTMA1

Stock parziale: 1457

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA, 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR48PNE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR48PNE6327BTSA1

Stock parziale: 3149

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA, 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR35PNE6433HTMA1

Infineon Technologies

BCR35PNE6433HTMA1

Stock parziale: 1427

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR22PNE6433HTMA1

Infineon Technologies

BCR22PNE6433HTMA1

Stock parziale: 1454

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR198SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR198SE6327BTSA1

Stock parziale: 1473

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR22PNE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR22PNE6327BTSA1

Stock parziale: 1505

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR185SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR185SE6327BTSA1

Stock parziale: 1465

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR183SE6433BTMA1

Infineon Technologies

BCR183SE6433BTMA1

Stock parziale: 1484

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR185SB6327XT

Stock parziale: 1459

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR183SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR183SE6327BTSA1

Stock parziale: 1440

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR169SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR169SE6327BTSA1

Stock parziale: 1509

Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR148SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR148SE6327BTSA1

Stock parziale: 1486

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR148SE6433HTMA1

Infineon Technologies

BCR148SE6433HTMA1

Stock parziale: 1436

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR141SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR141SE6327BTSA1

Stock parziale: 1483

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR135SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR135SE6327BTSA1

Stock parziale: 1438

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR133SE6433BTMA1

Infineon Technologies

BCR133SE6433BTMA1

Stock parziale: 1430

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR133SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR133SE6327BTSA1

Stock parziale: 1432

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR133SB6327XT

Stock parziale: 1446

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR129SE6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR129SE6327HTSA1

Stock parziale: 1436

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR119SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR119SE6327BTSA1

Stock parziale: 1514

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR119SE6433HTMA1

Infineon Technologies

BCR119SE6433HTMA1

Stock parziale: 1484

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR10PNE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR10PNE6327BTSA1

Stock parziale: 3226

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR116SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR116SE6327BTSA1

Stock parziale: 1508

Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR10PNB6327XT

Stock parziale: 1434

Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistenza - Base emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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