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Memoria

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IDT, Integrated Device Technology Inc

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IDT, Integrated Device Technology Inc

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IDT, Integrated Device Technology Inc

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Tipo di memoria: Volatile, Formato memoria: SRAM, Tecnologia: SRAM - Asynchronous, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8),

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Tipo di memoria: Volatile, Formato memoria: SRAM, Tecnologia: SRAM - Asynchronous, Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8),

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Tipo di memoria: Volatile, Formato memoria: SRAM, Tecnologia: SRAM - Asynchronous, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns,

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Tipo di memoria: Volatile, Formato memoria: SRAM, Tecnologia: SRAM - Asynchronous, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns,

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Tipo di memoria: Volatile, Formato memoria: SRAM, Tecnologia: SRAM - Asynchronous, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 90ns,

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Tipo di memoria: Volatile, Formato memoria: SRAM, Tecnologia: SRAM - Asynchronous, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns,

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Tipo di memoria: Volatile, Formato memoria: SRAM, Tecnologia: SRAM - Asynchronous, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns,

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Tipo di memoria: Volatile, Formato memoria: SRAM, Tecnologia: SRAM - Asynchronous, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns,

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Tipo di memoria: Volatile, Formato memoria: SRAM, Tecnologia: SRAM - Asynchronous, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns,

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Tipo di memoria: Volatile, Formato memoria: SRAM, Tecnologia: SRAM - Asynchronous, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns,

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