Stock parziale: 224
Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 40A, 20V,