Transistor - FET, MOSFET - Singoli | Prodotti a semiconduttore discreti | 1

LSIC1MO120E0080

Stock parziale: 1259

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 20A, 20V,

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Littelfuse Inc.

LSIC1MO120E0160

Stock parziale: 1034

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 10A, 20V,

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Littelfuse Inc.

LSIC1MO120E0120

Stock parziale: 1693

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 20V,

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