Transistor - Bipolari (BJT) - Array

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Transistor - Bipolari (BJT) - Array

Microsemi Corporation

2N2919U

Stock parziale: 1529

Tipo di transistor: 2 NPN (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

2N3810U

Stock parziale: 2166

Tipo di transistor: 2 PNP (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

2N2060L

Stock parziale: 2121

Tipo di transistor: 2 NPN (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Microsemi Corporation

2N6987

Stock parziale: 1248

Tipo di transistor: 4 PNP (Quad), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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Microsemi Corporation

2N6988

Stock parziale: 1523

Tipo di transistor: 4 PNP (Quad), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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Microsemi Corporation

2N2919L

Stock parziale: 2004

Tipo di transistor: 2 NPN (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

2N2920U

Stock parziale: 161

Tipo di transistor: 2 NPN (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

2N3838

Stock parziale: 1633

Tipo di transistor: NPN, PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 40V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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Microsemi Corporation

2N2920L

Stock parziale: 2061

Tipo di transistor: 2 NPN (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

2N6990

Stock parziale: 1262

Tipo di transistor: 4 NPN (Quad), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 800mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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Microsemi Corporation

2N5795

Stock parziale: 1968

Tipo di transistor: 2 PNP (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

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Microsemi Corporation

2N2920

Stock parziale: 2258

Tipo di transistor: 2 NPN (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

2N3810L

Stock parziale: 4091

Tipo di transistor: 2 PNP (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

2N2919

Stock parziale: 2136

Tipo di transistor: 2 NPN (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

2N3810

Stock parziale: 3259

Tipo di transistor: 2 PNP (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

2N6989

Stock parziale: 4437

Tipo di transistor: 4 NPN (Quad), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 800mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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Microsemi Corporation

2N3811L

Stock parziale: 4456

Tipo di transistor: 2 PNP (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

2N3811U

Stock parziale: 4453

Tipo di transistor: 2 PNP (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

2N3811

Stock parziale: 4521

Tipo di transistor: 2 PNP (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JANTXV2N6990

Stock parziale: 1050

Tipo di transistor: 4 NPN (Quad), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 800mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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Microsemi Corporation

SG2013J-883B

Stock parziale: 1020

Tipo di transistor: 7 NPN Darlington, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.9V @ 600µA, 500mA, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 900 @ 500mA, 2V,

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Microsemi Corporation

SG2003J-JAN

Stock parziale: 4491

Tipo di transistor: 7 NPN Darlington, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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SG2803J-883B

Stock parziale: 4488

Tipo di transistor: 8 NPN Darlington, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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Microsemi Corporation

JANTX2N6988

Stock parziale: 4551

Tipo di transistor: 4 PNP (Quad), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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Microsemi Corporation

JANTXV2N3811L

Stock parziale: 4513

Tipo di transistor: 2 PNP (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

SG2003J-883B

Stock parziale: 4460

Tipo di transistor: 7 NPN Darlington, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 50V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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Microsemi Corporation

JANTXV2N3810

Stock parziale: 1613

Tipo di transistor: 2 PNP (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JAN2N2919L

Stock parziale: 1921

Tipo di transistor: 2 NPN (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JAN2N6987

Stock parziale: 1383

Tipo di transistor: 4 PNP (Quad), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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Microsemi Corporation

JANTX2N3810U

Stock parziale: 1675

Tipo di transistor: 2 PNP (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JANTX2N6987

Stock parziale: 1284

Tipo di transistor: 4 PNP (Quad), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Lista dei desideri

Microsemi Corporation

JANTXV2N3810L

Stock parziale: 163

Tipo di transistor: 2 PNP (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JANTXV2N2920

Stock parziale: 1620

Tipo di transistor: 2 NPN (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V,

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Microsemi Corporation

JANSR2N3810U

Stock parziale: 301

Tipo di transistor: 2 PNP (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JANTX2N2060L

Stock parziale: 980

Tipo di transistor: 2 NPN (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JAN2N2060L

Stock parziale: 1262

Tipo di transistor: 2 NPN (Dual), Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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