Stock parziale: 2760
Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funzione FET: Silicon Carbide (SiC), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1000V (1kV), Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 36A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 18A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,