Diodi - Raddrizzatori - Singoli

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Diodi - Raddrizzatori - Singoli

Microsemi Corporation

APT15DQ60BG

Stock parziale: 29429

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 19ns,

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Microsemi Corporation

APT10SCD120K

Stock parziale: 6853

Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 1200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 0ns,

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Microsemi Corporation

APT15DQ60KG

Stock parziale: 44440

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 19ns,

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Microsemi Corporation

APT15DQ120KG

Stock parziale: 35058

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 1200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 240ns,

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Microsemi Corporation

APT75DQ60BG

Stock parziale: 15462

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 75A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 75A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 31ns,

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Microsemi Corporation

APT20SCD65K

Stock parziale: 9366

Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 650V, Corrente - Media Rettificata (Io): 32A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 0ns,

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Microsemi Corporation

APT10SCD65K

Stock parziale: 12409

Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 650V, Corrente - Media Rettificata (Io): 17A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 0ns,

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Microsemi Corporation

APT60D60BG

Stock parziale: 11579

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 130ns,

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Microsemi Corporation

APT10SCD120B

Stock parziale: 6623

Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 1200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 36A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 0ns,

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Microsemi Corporation

APT20SCD120B

Stock parziale: 4642

Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 1200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 68A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 0ns,

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Microsemi Corporation

APT30SCD120B

Stock parziale: 3455

Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 1200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 99A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 30A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 0ns,

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Microsemi Corporation

APT20SCD120S

Stock parziale: 4145

Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 1200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 68A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 0ns,

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Microsemi Corporation

APT30S20BG

Stock parziale: 18686

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 45A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 55ns,

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APT60S20BG

Stock parziale: 12393

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 75A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 55ns,

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Microsemi Corporation

APT30DQ60BG

Stock parziale: 24299

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 30ns,

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Microsemi Corporation

APT15D30KG

Stock parziale: 1168

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 300V, Corrente - Media Rettificata (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 32ns,

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Microsemi Corporation

APT30S20SG

Stock parziale: 532

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 45A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 55ns,

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Microsemi Corporation

APT60D30BG

Stock parziale: 571

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 300V, Corrente - Media Rettificata (Io): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 38ns,

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Microsemi Corporation

APT15D40KG

Stock parziale: 614

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 400V, Corrente - Media Rettificata (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Microsemi Corporation

APT15S20KG

Stock parziale: 5116

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 25A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 830mV @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 80ns,

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Microsemi Corporation

APT40DQ60BG

Stock parziale: 23953

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 40A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 25ns,

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Microsemi Corporation

APT100S20BG

Stock parziale: 9524

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 70ns,

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Microsemi Corporation

APT40DQ100BG

Stock parziale: 19872

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 1000V, Corrente - Media Rettificata (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 40A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 250ns,

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Microsemi Corporation

APT30D60BG

Stock parziale: 17982

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 85ns,

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Microsemi Corporation

JANTX1N6622

Stock parziale: 3139

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 660V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 30ns,

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Microsemi Corporation

JANTXV1N645-1

Stock parziale: 1860

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 225V, Corrente - Media Rettificata (Io): 400mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 400mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

JANTX1N3595US

Stock parziale: 3443

Tipo di diodo: Standard, Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo di recupero inverso (trr): 3µs,

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Microsemi Corporation

JAN1N3174

Stock parziale: 65

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 1000V, Corrente - Media Rettificata (Io): 300A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 940A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

JANTX1N3070-1

Stock parziale: 1471

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 175V, Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo di recupero inverso (trr): 50ns,

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Microsemi Corporation

JANTXV1N5618

Stock parziale: 5261

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 2µs,

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Microsemi Corporation

JANTX1N5551US

Stock parziale: 3807

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 400V, Corrente - Media Rettificata (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 9A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 2µs,

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Microsemi Corporation

JAN1N5802URS

Stock parziale: 3415

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 50V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 25ns,

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Microsemi Corporation

JAN1N3614

Stock parziale: 5863

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 800V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

SBR6030L

Stock parziale: 578

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 30V, Corrente - Media Rettificata (Io): 60A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 480mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

JAN1N5809URS

Stock parziale: 3811

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 30ns,

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Microsemi Corporation

JAN1N5804URS

Stock parziale: 3402

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 25ns,

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