Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli

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Tipo di transistor: PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1A, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 80V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA (ICBO), Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Tipo di transistor: PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 60V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 50nA, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

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Tipo di transistor: NPN, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1A, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 250V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 2µA, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V,

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Tipo di transistor: PNP, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1A, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 175V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10µA, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V,

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Tipo di transistor: NPN, Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1A, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 80V, Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Corrente - Interruzione collettore (max): 10nA, Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V,

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