Transistor - FET, MOSFET - Singoli

2N7002F,215

Stock parziale: 9100

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 475mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002E,215

Stock parziale: 8867

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 385mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002BKMB,315

Stock parziale: 137202

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 450mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 450mA, 10V,

2N7002BKVL

Stock parziale: 122069

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002CK,215

Stock parziale: 134277

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002BKM,315

Stock parziale: 169202

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 450mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002P,235

Stock parziale: 189451

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002BKW,115

Stock parziale: 149291

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 310mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002P,215

Stock parziale: 116770

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002,215

Stock parziale: 123703

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002BK,215

Stock parziale: 184787

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002PW,115

Stock parziale: 143910

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 310mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002CKVL

Stock parziale: 180432

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002,235

Stock parziale: 118636

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 300mA (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

BUK7E4R6-60E,127

Stock parziale: 42654

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 25A, 10V,

BSS192,135

Stock parziale: 115376

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 240V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

BSS87,115

Stock parziale: 136721

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 400mA, 10V,

BUK7E13-60E,127

Stock parziale: 75551

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

BUK7E3R1-40E,127

Stock parziale: 35084

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 25A, 10V,

BUK7E2R3-40E,127

Stock parziale: 28687

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 25A, 10V,

BUK7E5R2-100E,127

Stock parziale: 21980

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 25A, 10V,

BUK664R6-40C,118

Stock parziale: 51992

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 25A, 10V,

BUK7675-55A,118

Stock parziale: 172950

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 55V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20.3A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 10A, 10V,

BUK9640-100A,118

Stock parziale: 111424

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 25A, 10V,

BUK965R4-40E,118

Stock parziale: 102308

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 25A, 10V,

BUK662R5-30C,118

Stock parziale: 47244

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9MRR-55PGG/A,51

Stock parziale: 2401

BUK9MMM-55PNN/A,51

Stock parziale: 2447

BUK9C10-65BIT,118

Stock parziale: 2373

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 65V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 75A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9MJJ-55PSS/A,51

Stock parziale: 2432

BUK3F00-50WGFA,518

Stock parziale: 2426

BUK3F00-50WFEA,518

Stock parziale: 2441

BUK7M15-60EX

Stock parziale: 115486

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 42.9A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 10A, 10V,

BUK9M24-40EX

Stock parziale: 180890

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V,

BUK7Y19-100EX

Stock parziale: 159940

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V,

BUK9Y65-100E,115

Stock parziale: 166103

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63.3 mOhm @ 5A, 10V,