Tipo FET: N-Channel, Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 10V, Assorbimento di corrente (Id) - Max: 20mA, Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id: 100mV @ 10µA,
Tipo FET: N-Channel, Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V, Assorbimento di corrente (Id) - Max: 2mA,
Tipo FET: N-Channel, Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 55V, Corrente - Scarico (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V, Assorbimento di corrente (Id) - Max: 30mA, Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id: 5V @ 10µA,
Tipo FET: P-Channel, Corrente - Scarico (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V, Assorbimento di corrente (Id) - Max: 20mA, Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5V @ 10µA,
Tipo FET: N-Channel, Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50µA @ 10V, Assorbimento di corrente (Id) - Max: 1mA, Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.3V @ 1µA,
Tipo FET: N-Channel, Corrente - Scarico (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.4µA @ 10V, Assorbimento di corrente (Id) - Max: 10mA, Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id: 3.5V @ 1µA,
Tipo FET: N-Channel, Corrente - Scarico (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V, Assorbimento di corrente (Id) - Max: 20mA, Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5V @ 10µA,
Tipo FET: N-Channel, Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 55V, Corrente - Scarico (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 10V, Assorbimento di corrente (Id) - Max: 30mA, Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id: 5V @ 10µA,