Transistor - FET, MOSFET - Array

QJD1210010

Stock parziale: 2869

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Funzione FET: Silicon Carbide (SiC), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1200V (1.2kV), Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 100A, 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

QJD1210SA1

Stock parziale: 2941

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Funzione FET: Standard, Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1200V (1.2kV), Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 34mA,

QJD1210SA2

Stock parziale: 2896

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Funzione FET: Standard, Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1200V (1.2kV), Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 34mA,

QJD1210SB1

Stock parziale: 2931

QJD1210011

Stock parziale: 3308

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Funzione FET: Silicon Carbide (SiC), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 1200V (1.2kV), Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 100A, 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,