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Memoria

M95040-WMN6T
STMicroelectronics

M95040-WMN6T

Stock parziale: 1124

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8), Frequenza di clock: 20MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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M27C4001-12C1
STMicroelectronics

M27C4001-12C1

Stock parziale: 8120

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EPROM, Tecnologia: EPROM - OTP, Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8),

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M93C66-WMN6
STMicroelectronics

M93C66-WMN6

Stock parziale: 1291

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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M93C86-MN6T
STMicroelectronics

M93C86-MN6T

Stock parziale: 1149

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8, 1K x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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M27C4001-12F1
STMicroelectronics

M27C4001-12F1

Stock parziale: 8066

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EPROM, Tecnologia: EPROM - UV, Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8),

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M27C256B-15F1
STMicroelectronics

M27C256B-15F1

Stock parziale: 7990

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EPROM, Tecnologia: EPROM - UV, Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8),

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M27C1001-12C1
STMicroelectronics

M27C1001-12C1

Stock parziale: 7518

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EPROM, Tecnologia: EPROM - OTP, Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8),

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M48Z35Y-70MH1E
STMicroelectronics

M48Z35Y-70MH1E

Stock parziale: 1639

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: NVSRAM, Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns,

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M27C512-12C1
STMicroelectronics

M27C512-12C1

Stock parziale: 823

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EPROM, Tecnologia: EPROM - OTP, Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8),

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M24C64-WMN6T
STMicroelectronics

M24C64-WMN6T

Stock parziale: 9345

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8), Frequenza di clock: 1MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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M93C66-MN6
STMicroelectronics

M93C66-MN6

Stock parziale: 1331

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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M24C02-WDW6T
STMicroelectronics

M24C02-WDW6T

Stock parziale: 9231

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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DSM2180F3-90K6
STMicroelectronics

DSM2180F3-90K6

Stock parziale: 7463

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH, Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8),

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M48Z12-200PC1
STMicroelectronics

M48Z12-200PC1

Stock parziale: 1521

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: NVSRAM, Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns,

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M27C4001-10F1
STMicroelectronics

M27C4001-10F1

Stock parziale: 8024

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EPROM, Tecnologia: EPROM - UV, Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8),

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M29W800DB90N6T
STMicroelectronics

M29W800DB90N6T

Stock parziale: 9214

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH - NOR, Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 90ns,

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M27C512-15B1
STMicroelectronics

M27C512-15B1

Stock parziale: 8241

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EPROM, Tecnologia: EPROM - OTP, Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8),

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M58LW032D110ZA6
STMicroelectronics

M58LW032D110ZA6

Stock parziale: 9031

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH - NOR, Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

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M27C4001-15C1
STMicroelectronics

M27C4001-15C1

Stock parziale: 8145

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EPROM, Tecnologia: EPROM - OTP, Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8),

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M34C02-LDW6TP
STMicroelectronics

M34C02-LDW6TP

Stock parziale: 6103

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms,

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DSM2180F3V-15T6
STMicroelectronics

DSM2180F3V-15T6

Stock parziale: 7464

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH, Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8),

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M27C256B-90C1
STMicroelectronics

M27C256B-90C1

Stock parziale: 8016

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EPROM, Tecnologia: EPROM - OTP, Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8),

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M27C1001-10C1
STMicroelectronics

M27C1001-10C1

Stock parziale: 7461

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EPROM, Tecnologia: EPROM - OTP, Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8),

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M24C04-WDW6T
STMicroelectronics

M24C04-WDW6T

Stock parziale: 9276

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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M93C46-BN6
STMicroelectronics

M93C46-BN6

Stock parziale: 1072

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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M68AW512ML70ND6
STMicroelectronics

M68AW512ML70ND6

Stock parziale: 9087

Tipo di memoria: Volatile, Formato memoria: SRAM, Tecnologia: SRAM - Asynchronous, Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns,

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M24C02-WBN6
STMicroelectronics

M24C02-WBN6

Stock parziale: 9460

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di clock: 400kHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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NAND01GW3B2AN6E
STMicroelectronics

NAND01GW3B2AN6E

Stock parziale: 5796

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH - NAND, Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 30ns,

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M27C256B-70C1
STMicroelectronics

M27C256B-70C1

Stock parziale: 7936

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EPROM, Tecnologia: EPROM - OTP, Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8),

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M27C512-12B1
STMicroelectronics

M27C512-12B1

Stock parziale: 8221

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EPROM, Tecnologia: EPROM - OTP, Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8),

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M28W320CT90N6
STMicroelectronics

M28W320CT90N6

Stock parziale: 8718

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH - NOR, Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 90ns,

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M27C4001-10B1
STMicroelectronics

M27C4001-10B1

Stock parziale: 8075

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EPROM, Tecnologia: EPROM - OTP, Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8),

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M27C1001-15B1
STMicroelectronics

M27C1001-15B1

Stock parziale: 830

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EPROM, Tecnologia: EPROM - OTP, Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8),

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M27C512-10F1
STMicroelectronics

M27C512-10F1

Stock parziale: 8225

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EPROM, Tecnologia: EPROM - UV, Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8),

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NAND512R3A3AZA6E
STMicroelectronics

NAND512R3A3AZA6E

Stock parziale: 7641

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: FLASH, Tecnologia: FLASH - NAND, Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8), Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns,

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M93S46-WMN6
STMicroelectronics

M93S46-WMN6

Stock parziale: 1217

Tipo di memoria: Non-Volatile, Formato memoria: EEPROM, Tecnologia: EEPROM, Dimensione della memoria: 1Kb (64 x 16), Frequenza di clock: 2MHz, Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms,

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