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Transistor - FET, MOSFET - Singoli

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TSM2305CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2305CX RFG

Stock parziale: 38756

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

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TSM60N380CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60N380CZ C0G

Stock parziale: 8195

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V,

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TSM60NB1R4CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB1R4CH C5G

Stock parziale: 46742

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 900mA, 10V,

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TSM2306CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2306CX RFG

Stock parziale: 58112

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 3.5A, 10V,

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TSM3401CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM3401CX RFG

Stock parziale: 38771

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3A, 10V,

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TSM210N02CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM210N02CX RFG

Stock parziale: 38753

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 4A, 4.5V,

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TSM850N06CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM850N06CX RFG

Stock parziale: 45227

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.3A, 10V,

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TSM170N06CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM170N06CP ROG

Stock parziale: 53408

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 20A, 10V,

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TSM60N380CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60N380CH C5G

Stock parziale: 8167

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V,

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TSM2309CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2309CX RFG

Stock parziale: 80161

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 3A, 10V,

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TSM2307CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2307CX RFG

Stock parziale: 74840

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 3A, 10V,

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TSM2312CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2312CX RFG

Stock parziale: 74787

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 4.9A, 4.5V,

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TSM60N600CI C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60N600CI C0G

Stock parziale: 5860

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4A, 10V,

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TSM2N7002KCX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2N7002KCX RFG

Stock parziale: 80150

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 300mA, 10V,

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TSM2318CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2318CX RFG

Stock parziale: 80118

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 10V,

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TSM60N1R4CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60N1R4CH C5G

Stock parziale: 7569

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 10V,

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TSM60N900CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60N900CH C5G

Stock parziale: 7707

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2.3A, 10V,

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TSM60N1R4CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60N1R4CP ROG

Stock parziale: 5813

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 10V,

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TSM60N900CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60N900CP ROG

Stock parziale: 5819

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2.3A, 10V,

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TSM085P03CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM085P03CS RLG

Stock parziale: 7421

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 13A, 10V,

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TSM180N03PQ33 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM180N03PQ33 RGG

Stock parziale: 5747

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 12A, 10V,

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TSM038N03PQ33 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM038N03PQ33 RGG

Stock parziale: 7367

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 78A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 19A, 10V,

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TSM2N7000KCT B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2N7000KCT B0G

Stock parziale: 5812

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 10V,

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TSM060N03PQ33 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM060N03PQ33 RGG

Stock parziale: 7347

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 62A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V,

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