Diodi - Raddrizzatori - Singoli | Prodotti a semiconduttore discreti | 100

1N4003GHR0G

Stock parziale: 159

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4937GHR0G

Stock parziale: 112

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 200ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5817 R0G

Stock parziale: 119

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 20V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4935G R0G

Stock parziale: 163

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 200ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5821HR0G

Stock parziale: 151

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 30V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5820HR0G

Stock parziale: 128

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 20V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 475mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4934GHR0G

Stock parziale: 146

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 200ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4002GHR1G

Stock parziale: 85

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4004GHB0G

Stock parziale: 156

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 400V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5408GHB0G

Stock parziale: 122

Tipo di diodo: Standard, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4005GHB0G

Stock parziale: 143

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4935G A0G

Stock parziale: 111

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 200ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5818 A0G

Stock parziale: 103

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 30V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4003GHB0G

Stock parziale: 174

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4934GHB0G

Stock parziale: 91

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 200ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5817HB0G

Stock parziale: 144

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 20V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5400G A0G

Stock parziale: 119

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 50V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4937GHB0G

Stock parziale: 108

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 200ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5399GHA0G

Stock parziale: 150

Tipo di diodo: Standard, Corrente - Media Rettificata (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4004G R1G

Stock parziale: 116

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 400V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4935G B0G

Stock parziale: 149

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 200ns,

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1N4936GHR1G

Stock parziale: 94

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 400V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 200ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4005GHR1G

Stock parziale: 140

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5818HR1G

Stock parziale: 112

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 30V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4933GHB0G

Stock parziale: 174

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 50V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 200ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5822 B0G

Stock parziale: 88

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 40V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 525mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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1T6G A1G

Stock parziale: 77

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 800V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5821HB0G

Stock parziale: 90

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 30V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4006GHR1G

Stock parziale: 134

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 800V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1T3G A0G

Stock parziale: 175

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4935G R1G

Stock parziale: 94

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 200ns,

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1N4935GHR1G

Stock parziale: 149

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 200ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4002GHB0G

Stock parziale: 128

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4006GHA0G

Stock parziale: 150

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 800V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N5402GHA0G

Stock parziale: 123

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5817HR1G

Stock parziale: 141

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 20V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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