Diodi - Raddrizzatori - Singoli | Prodotti a semiconduttore discreti | 100

SFAF805GHC0G

Stock parziale: 149

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 300V, Corrente - Media Rettificata (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1001GHC0G

Stock parziale: 76

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 50V, Corrente - Media Rettificata (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1603GHMNG

Stock parziale: 170

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 150V, Corrente - Media Rettificata (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR809HA0G

Stock parziale: 100

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 90V, Corrente - Media Rettificata (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF1060HC0G

Stock parziale: 146

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media Rettificata (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF13GHB0G

Stock parziale: 127

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 150V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF67GHA0G

Stock parziale: 164

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 500V, Corrente - Media Rettificata (Io): 6A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS802GHMNG

Stock parziale: 158

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF13GHR0G

Stock parziale: 71

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 150V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF1J R0G

Stock parziale: 164

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR16150HC0G

Stock parziale: 123

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 150V, Corrente - Media Rettificata (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR306HR0G

Stock parziale: 78

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HER303G A0G

Stock parziale: 164

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR1204 R0G

Stock parziale: 116

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 40V, Corrente - Media Rettificata (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF11GHR0G

Stock parziale: 94

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 50V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR304HR0G

Stock parziale: 147

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 40V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR304 R0G

Stock parziale: 98

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 40V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1060 C0G

Stock parziale: 131

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media Rettificata (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF4006HR1G

Stock parziale: 117

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 800V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF2007G C0G

Stock parziale: 160

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 500V, Corrente - Media Rettificata (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRA2090HC0G

Stock parziale: 85

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 90V, Corrente - Media Rettificata (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR806HR0G

Stock parziale: 148

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media Rettificata (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR003HB0G

Stock parziale: 135

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 30V, Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2008GHC0G

Stock parziale: 118

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR750HC0G

Stock parziale: 81

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media Rettificata (Io): 7.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 7.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF4003HR0G

Stock parziale: 74

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR106HR0G

Stock parziale: 153

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR1202HR0G

Stock parziale: 82

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 20V, Corrente - Media Rettificata (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS803GHMNG

Stock parziale: 155

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 150V, Corrente - Media Rettificata (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR010HA0G

Stock parziale: 174

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1602G MNG

Stock parziale: 106

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF44G B0G

Stock parziale: 117

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

GPA807HC0G

Stock parziale: 173

Tipo di diodo: Standard, Corrente - Media Rettificata (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAS2020HMNG

Stock parziale: 152

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 20V, Corrente - Media Rettificata (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR104HR0G

Stock parziale: 106

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 40V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF3008PTHC0G

Stock parziale: 86

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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