Diodi - Raddrizzatori - Singoli | Prodotti a semiconduttore discreti | 100

SR009 A0G

Stock parziale: 120

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 90V, Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRA1090HC0G

Stock parziale: 92

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 90V, Corrente - Media Rettificata (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRA850 C0G

Stock parziale: 146

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 50V, Corrente - Media Rettificata (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRA1640HC0G

Stock parziale: 136

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 40V, Corrente - Media Rettificata (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF1B R1G

Stock parziale: 113

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

UG06AHA0G

Stock parziale: 173

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 50V, Corrente - Media Rettificata (Io): 600mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 600mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 15ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF4006 B0G

Stock parziale: 146

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 800V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRA2020HC0G

Stock parziale: 91

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 20V, Corrente - Media Rettificata (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF8150 C0G

Stock parziale: 132

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 150V, Corrente - Media Rettificata (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MUR440 A0G

Stock parziale: 175

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 400V, Corrente - Media Rettificata (Io): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.28V @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF8100 C0G

Stock parziale: 107

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1060HMNG

Stock parziale: 103

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media Rettificata (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF4001HB0G

Stock parziale: 123

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 50V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

HER104G B0G

Stock parziale: 113

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 300V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRT19 A1G

Stock parziale: 132

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 90V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

GPA802HC0G

Stock parziale: 154

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR310HB0G

Stock parziale: 98

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRT110HA1G

Stock parziale: 134

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF1B A0G

Stock parziale: 82

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ESJLW RQG

Stock parziale: 126

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF1KHA0G

Stock parziale: 84

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 800V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF4006 A0G

Stock parziale: 171

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 800V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF1JHR1G

Stock parziale: 98

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

GPA807 C0G

Stock parziale: 158

Tipo di diodo: Standard, Corrente - Media Rettificata (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR1502HR0G

Stock parziale: 123

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 20V, Corrente - Media Rettificata (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1690 MNG

Stock parziale: 136

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 90V, Corrente - Media Rettificata (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRA1650 C0G

Stock parziale: 124

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 50V, Corrente - Media Rettificata (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF4007 B0G

Stock parziale: 115

Tipo di diodo: Standard, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

FR306G B0G

Stock parziale: 153

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 800V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFT17G A1G

Stock parziale: 105

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 500V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

F1T4GHA0G

Stock parziale: 164

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 400V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF46GHB0G

Stock parziale: 164

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 400V, Corrente - Media Rettificata (Io): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF16GHR1G

Stock parziale: 169

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 400V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF18G B0G

Stock parziale: 106

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRT19HR0G

Stock parziale: 116

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 90V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFA1005GHC0G

Stock parziale: 156

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 300V, Corrente - Media Rettificata (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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