Diodi - Raddrizzatori - Singoli

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Diodi - Raddrizzatori - Singoli

Taiwan Semiconductor Corporation

SF14G A0G

Stock parziale: 102

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRT110HA0G

Stock parziale: 134

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HER302G A0G

Stock parziale: 88

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF1630HC0G

Stock parziale: 116

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 30V, Corrente - Media Rettificata (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF1G A0G

Stock parziale: 91

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 400V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFT18G R0G

Stock parziale: 81

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

UG06BHA1G

Stock parziale: 141

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 600mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 600mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 15ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR506HA0G

Stock parziale: 169

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media Rettificata (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF1050 C0G

Stock parziale: 97

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 50V, Corrente - Media Rettificata (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

FR151G A0G

Stock parziale: 84

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 50V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR515 B0G

Stock parziale: 121

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 150V, Corrente - Media Rettificata (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.05V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR115HA0G

Stock parziale: 159

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 150V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF1D R1G

Stock parziale: 158

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF1640HC0G

Stock parziale: 136

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 40V, Corrente - Media Rettificata (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR104 R1G

Stock parziale: 174

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 40V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF803G C0G

Stock parziale: 128

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 150V, Corrente - Media Rettificata (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRT12 R0G

Stock parziale: 161

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 20V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF16100HC0G

Stock parziale: 117

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 16A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 16A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR745HC0G

Stock parziale: 93

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 50V, Corrente - Media Rettificata (Io): 7.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR109 A0G

Stock parziale: 143

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 90V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR005 R1G

Stock parziale: 103

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 50V, Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES1DV M2G

Stock parziale: 146

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 15ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF801G C0G

Stock parziale: 173

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 50V, Corrente - Media Rettificata (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAS890HMNG

Stock parziale: 176

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 90V, Corrente - Media Rettificata (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAS820 MNG

Stock parziale: 138

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 20V, Corrente - Media Rettificata (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

FR102G B0G

Stock parziale: 107

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

F1T6GHA1G

Stock parziale: 134

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 800V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF17GHB0G

Stock parziale: 137

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 500V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR503 A0G

Stock parziale: 147

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 30V, Corrente - Media Rettificata (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF12G A0G

Stock parziale: 114

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

HER108G R1G

Stock parziale: 127

Tipo di diodo: Standard, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR205HR0G

Stock parziale: 87

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 50V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF33G A0G

Stock parziale: 120

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 150V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR010HR1G

Stock parziale: 168

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR103 B0G

Stock parziale: 135

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 30V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAS2090 MNG

Stock parziale: 106

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 90V, Corrente - Media Rettificata (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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