Diodi - Raddrizzatori - Singoli

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Diodi - Raddrizzatori - Singoli

Taiwan Semiconductor Corporation

S1BL RUG

Stock parziale: 116

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 1.8µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR204HR0G

Stock parziale: 169

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 40V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS29LHR3G

Stock parziale: 160

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 90V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS1JL RUG

Stock parziale: 159

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 250ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS25L R3G

Stock parziale: 156

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 50V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

UG56GHA0G

Stock parziale: 160

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 400V, Corrente - Media Rettificata (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 20ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS110L R3G

Stock parziale: 181

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MUR420HB0G

Stock parziale: 104

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 890mV @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 25ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS26LHRUG

Stock parziale: 95

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS1KL RUG

Stock parziale: 140

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 800V, Corrente - Media Rettificata (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS1KL R3G

Stock parziale: 153

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 800V, Corrente - Media Rettificata (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RSFGL R3G

Stock parziale: 144

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 400V, Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS310LHM2G

Stock parziale: 165

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS16L RUG

Stock parziale: 140

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

LL4006G L0

Stock parziale: 189

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 800V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRT16 A1G

Stock parziale: 144

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 60V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1JL R3G

Stock parziale: 115

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 1.8µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS215L RUG

Stock parziale: 128

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 150V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS110L RUG

Stock parziale: 182

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1DLHR3G

Stock parziale: 104

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 1.8µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES1JL RUG

Stock parziale: 143

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS22L R3G

Stock parziale: 91

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 20V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1KL RUG

Stock parziale: 101

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 800V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 1.8µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

HER206G B0G

Stock parziale: 114

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS115L RUG

Stock parziale: 108

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 150V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1ML RVG

Stock parziale: 159

Tipo di diodo: Standard, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 1.8µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

HER207G B0G

Stock parziale: 157

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 800V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

LL4007G L0

Stock parziale: 130

Tipo di diodo: Standard, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

UG58GHA0G

Stock parziale: 148

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 20ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR215HA0G

Stock parziale: 172

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 150V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HER151G B0G

Stock parziale: 120

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 50V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S3JHR7G

Stock parziale: 190

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES1FL RUG

Stock parziale: 174

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 300V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK20H45 A0G

Stock parziale: 187

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 45V, Corrente - Media Rettificata (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR205 A0G

Stock parziale: 193

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 50V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES1C R3G

Stock parziale: 154

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 150V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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