Diodi - Raddrizzatori - Singoli | Prodotti a semiconduttore discreti | 100

ES1BL RFG

Stock parziale: 215

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS1ALHRFG

Stock parziale: 231

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 50V, Corrente - Media Rettificata (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES1JL MHG

Stock parziale: 182

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS25L RFG

Stock parziale: 232

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 50V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES1BL RTG

Stock parziale: 146

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS34LHMQG

Stock parziale: 222

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 40V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS29LHRVG

Stock parziale: 197

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 90V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS310L MQG

Stock parziale: 152

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS29L RHG

Stock parziale: 170

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 90V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS215L RTG

Stock parziale: 200

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 150V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS1KL MTG

Stock parziale: 163

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 800V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS14L MHG

Stock parziale: 186

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 40V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1KL M2G

Stock parziale: 162

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 800V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 1.8µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS25L RUG

Stock parziale: 149

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 50V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS19L M2G

Stock parziale: 181

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 90V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK54CHM6G

Stock parziale: 204

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 40V, Corrente - Media Rettificata (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

RSFDLHRUG

Stock parziale: 153

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK84CHM6G

Stock parziale: 180

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 40V, Corrente - Media Rettificata (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK85CHR7G

Stock parziale: 186

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 50V, Corrente - Media Rettificata (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

RSFKLHRUG

Stock parziale: 160

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 800V, Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1JL MQG

Stock parziale: 167

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 1.8µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES1DLHRTG

Stock parziale: 196

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 200V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1JL RFG

Stock parziale: 222

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 1.8µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS25LHRUG

Stock parziale: 226

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 50V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1BL RFG

Stock parziale: 231

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 1.8µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES1JLHMTG

Stock parziale: 138

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 600V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SSL34HR7G

Stock parziale: 230

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 40V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 410mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS215L MQG

Stock parziale: 170

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 150V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS310HR7G

Stock parziale: 177

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS310LHRVG

Stock parziale: 171

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES1BLHRHG

Stock parziale: 172

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 100V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS19LHMHG

Stock parziale: 216

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 90V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS23L RFG

Stock parziale: 212

Tipo di diodo: Schottky, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 30V, Corrente - Media Rettificata (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS1GL M2G

Stock parziale: 157

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 400V, Corrente - Media Rettificata (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS1GL MHG

Stock parziale: 209

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 400V, Corrente - Media Rettificata (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS1KLHMQG

Stock parziale: 214

Tipo di diodo: Standard, Tensione - DC inversa (Vr) (Max): 800V, Corrente - Media Rettificata (Io): 800mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 800mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo di recupero inverso (trr): 500ns,

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