Transistor - Bipolari (BJT) - RF | Prodotti a semiconduttore discreti | 1

2SC5087YTE85LF

Stock parziale: 144

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.1dB @ 1GHz, Guadagno: 13dB, Potenza - Max: 150mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084-O(TE85L,F)

Stock parziale: 170

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.1dB @ 1GHz, Guadagno: 11dB, Potenza - Max: 150mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-Y(TE85L,F)

Stock parziale: 171976

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 30V, Frequenza - Transizione: 550MHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, Guadagno: 17dB ~ 23dB, Potenza - Max: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-O,LF

Stock parziale: 111075

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1dB @ 500MHz, Potenza - Max: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-Y(TE85L,F)

Stock parziale: 128600

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.1dB @ 1GHz, Guadagno: 11dB ~ 16.5dB, Potenza - Max: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-O,LF

Stock parziale: 121034

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1dB @ 500MHz, Potenza - Max: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-O(TE85L,F)

Stock parziale: 190

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1dB @ 500MHz, Potenza - Max: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-O(TE85L,F)

Stock parziale: 170

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1dB @ 500MHz, Potenza - Max: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-O(TE85L,F)

Stock parziale: 187

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 10V, Frequenza - Transizione: 10GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.8dB @ 2GHz, Guadagno: 13dB ~ 7dB, Potenza - Max: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-Y,LF

Stock parziale: 173074

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1dB @ 500MHz, Potenza - Max: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-R(TE85L,F)

Stock parziale: 128

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 10V, Frequenza - Transizione: 10GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.8dB @ 2GHz, Guadagno: 13dB ~ 7.5dB, Potenza - Max: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-O,LF

Stock parziale: 124837

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 30V, Frequenza - Transizione: 550MHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Guadagno: 17dB ~ 23dB, Potenza - Max: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084YTE85LF

Stock parziale: 152602

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.1dB @ 1GHz, Guadagno: 11dB, Potenza - Max: 150mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087-O(TE85L,F)

Stock parziale: 162523

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Potenza - Max: 150mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-Y,LF

Stock parziale: 133840

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1dB @ 500MHz, Potenza - Max: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2714-Y(TE85L,F)

Stock parziale: 132303

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 30V, Frequenza - Transizione: 550MHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 2.5dB @ 100MHz, Guadagno: 23dB, Potenza - Max: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087R(TE85L,F)

Stock parziale: 156257

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 8GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz, Potenza - Max: 150mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-Y(TE85L,F)

Stock parziale: 190913

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.1dB @ 1GHz, Guadagno: 12dB ~ 17dB, Potenza - Max: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2714-O(TE85L,F)

Stock parziale: 167393

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 30V, Frequenza - Transizione: 550MHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 2.5dB @ 100MHz, Guadagno: 23dB, Potenza - Max: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5088-O(TE85L,F)

Stock parziale: 7295

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1dB @ 500MHz, Guadagno: 18dB, Potenza - Max: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5108-Y,LF

Stock parziale: 4783

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 10V, Frequenza - Transizione: 6GHz, Guadagno: 11dB, Potenza - Max: 100mW,

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2SC4915-Y,LF

Stock parziale: 7101

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 30V, Frequenza - Transizione: 550MHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Guadagno: 17dB ~ 23dB, Potenza - Max: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5096-R,LF

Stock parziale: 7064

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 10V, Frequenza - Transizione: 10GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.4dB @ 1GHz, Guadagno: 1.4dB, Potenza - Max: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-O(TE85L,F)

Stock parziale: 160292

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 30V, Frequenza - Transizione: 550MHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 5dB @ 100MHz, Guadagno: 23dB, Potenza - Max: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111(TE85L,F)

Stock parziale: 91

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 6V, Frequenza - Transizione: 11.5GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.2dB @ 1GHz, Guadagno: 12dB, Potenza - Max: 700mW,

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MT3S111P(TE12L,F)

Stock parziale: 18982

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 6V, Frequenza - Transizione: 8GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.25dB @ 1GHz, Guadagno: 10.5dB, Potenza - Max: 1W,

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MT3S113P(TE12L,F)

Stock parziale: 4314

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 5.3V, Frequenza - Transizione: 7.7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.45dB @ 1GHz, Guadagno: 10.5dB, Potenza - Max: 1.6W,

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Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113(TE85L,F)

Stock parziale: 9921

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 5.3V, Frequenza - Transizione: 12.5GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.45dB @ 1GHz, Guadagno: 11.8dB, Potenza - Max: 800mW,

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MT3S20P(TE12L,F)

Stock parziale: 4313

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.45dB @ 1GHz, Guadagno: 16.5dB, Potenza - Max: 1.8W,

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MT3S20TU(TE85L)

Stock parziale: 135

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.45dB @ 20mA, 5V, Guadagno: 12dB, Potenza - Max: 900mW,

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MT3S113TU,LF

Stock parziale: 9992

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 5.3V, Frequenza - Transizione: 11.2GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.45dB @ 1GHz, Guadagno: 12.5dB, Potenza - Max: 900mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S16U(TE85L,F)

Stock parziale: 176440

Tipo di transistor: NPN, Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 5V, Frequenza - Transizione: 4GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 2.4dB @ 1GHz, Guadagno: 4.5dBi, Potenza - Max: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C10FUTE85LF

Stock parziale: 7065

Tipo di transistor: 2 NPN (Dual), Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.1dB @ 1GHz, Guadagno: 11.5dB, Potenza - Max: 200mW,

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