Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Casa
Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Vishay Siliconix

SI7104DN-T1-E3

Stock parziale: 70460

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 12V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 26.1A, 4.5V,

Lista dei desideri

SI4368DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4368DY-T1-GE3

Stock parziale: 43176

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

Lista dei desideri

SIRA12BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIRA12BDP-T1-GE3

Stock parziale: 248

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 10A, 10V,

Lista dei desideri

SI3464DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3464DV-T1-GE3

Stock parziale: 171482

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V,

Lista dei desideri

SI7880ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7880ADP-T1-GE3

Stock parziale: 33676

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

Lista dei desideri

SIRA90DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIRA90DP-T1-RE3

Stock parziale: 245

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8 mOhm @ 20A, 10V,

Lista dei desideri

SISS67DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISS67DN-T1-GE3

Stock parziale: 244

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 15A, 10V,

Lista dei desideri

SI7230DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7230DN-T1-GE3

Stock parziale: 113255

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 14A, 10V,

Lista dei desideri

SISA12ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISA12ADN-T1-GE3

Stock parziale: 187703

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 10A, 10V,

Lista dei desideri

SIRA14DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIRA14DP-T1-GE3

Stock parziale: 193041

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 10A, 10V,

Lista dei desideri

SIR166DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR166DP-T1-GE3

Stock parziale: 110153

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 15A, 10V,

Lista dei desideri

SIR670DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR670DP-T1-GE3

Stock parziale: 130549

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

Lista dei desideri

SIR165DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR165DP-T1-GE3

Stock parziale: 258

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 15A, 10V,

Lista dei desideri

SI7806ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7806ADN-T1-GE3

Stock parziale: 113283

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 14A, 10V,

Lista dei desideri

Vishay Siliconix

IRFI830GPBF

Stock parziale: 37055

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 500V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.9A, 10V,

Lista dei desideri

SIE808DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIE808DF-T1-GE3

Stock parziale: 35066

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Lista dei desideri

SISA01DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISA01DN-T1-GE3

Stock parziale: 265

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 15A, 10V,

Lista dei desideri

SI7390DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7390DP-T1-GE3

Stock parziale: 57373

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V,

Lista dei desideri

Vishay Siliconix

SI4838DY-T1-E3

Stock parziale: 52849

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 12V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

Lista dei desideri

SI7862ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7862ADP-T1-GE3

Stock parziale: 30546

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 16V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 29A, 4.5V,

Lista dei desideri

SIRA00DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIRA00DP-T1-RE3

Stock parziale: 237

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 20A, 10V,

Lista dei desideri

SISS02DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

Stock parziale: 249

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 25V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 80A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 15A, 10V,

Lista dei desideri

SI7149ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7149ADP-T1-GE3

Stock parziale: 199708

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 15A, 10V,

Lista dei desideri

Vishay Siliconix

SIHA17N80E-E3

Stock parziale: 13653

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 800V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 8.5A, 10V,

Lista dei desideri

SQM50P03-07_GE3

Vishay Siliconix

SQM50P03-07_GE3

Stock parziale: 30993

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V,

Lista dei desideri

SIR182DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIR182DP-T1-RE3

Stock parziale: 255

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 15A, 10V,

Lista dei desideri

SIR140DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIR140DP-T1-RE3

Stock parziale: 261

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 25V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67 mOhm @ 20A, 10V,

Lista dei desideri

SI3442BDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3442BDV-T1-GE3

Stock parziale: 122281

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 4A, 4.5V,

Lista dei desideri

SIR680DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIR680DP-T1-RE3

Stock parziale: 66462

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 80V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 20A, 10V,

Lista dei desideri

SI4838DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4838DY-T1-GE3

Stock parziale: 44771

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 12V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

Lista dei desideri

SIR180DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIR180DP-T1-RE3

Stock parziale: 219

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 60A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05 mOhm @ 10A, 10V,

Lista dei desideri

SIR108DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIR108DP-T1-RE3

Stock parziale: 232

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 45A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

Lista dei desideri

SIRA60DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIRA60DP-T1-GE3

Stock parziale: 111133

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94 mOhm @ 20A, 10V,

Lista dei desideri

SIS184DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS184DN-T1-GE3

Stock parziale: 251

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 10A, 10V,

Lista dei desideri

SIR606BDP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

Stock parziale: 296

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4 mOhm @ 10A, 10V,

Lista dei desideri

SIR668DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIR668DP-T1-RE3

Stock parziale: 64154

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 95A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

Lista dei desideri

3600

«
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
»