Transistor - FET, MOSFET - Singoli

SIA436DJ-T1-GE3

SIA436DJ-T1-GE3

Stock parziale: 119071

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 8V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 15.7A, 4.5V,

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SI6415DQ-T1-E3

SI6415DQ-T1-E3

Stock parziale: 101835

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 6.5A, 10V,

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SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3

Stock parziale: 9909

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 60A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 15A, 10V,

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SQJ407EP-T1_GE3

SQJ407EP-T1_GE3

Stock parziale: 134372

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 10A, 10V,

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SIB408DK-T1-GE3

SIB408DK-T1-GE3

Stock parziale: 127930

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6A, 10V,

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SI5468DC-T1-GE3

SI5468DC-T1-GE3

Stock parziale: 193145

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.8A, 10V,

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IRL530PBF

IRL530PBF

Stock parziale: 51245

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 9A, 5V,

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IRFU9214PBF

IRFU9214PBF

Stock parziale: 98690

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 250V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.7A, 10V,

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SISH106DN-T1-GE3

SISH106DN-T1-GE3

Stock parziale: 9993

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V,

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SIS439DNT-T1-GE3

SIS439DNT-T1-GE3

Stock parziale: 185636

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 14A, 10V,

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SIR158DP-T1-RE3

SIR158DP-T1-RE3

Stock parziale: 9977

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 20A, 10V,

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SI8457DB-T1-E1

SI8457DB-T1-E1

Stock parziale: 116255

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 12V, Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 3A, 4.5V,

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SQ3418EEV-T1-GE3

SQ3418EEV-T1-GE3

Stock parziale: 1167

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 10V,

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SI5429DU-T1-GE3

SI5429DU-T1-GE3

Stock parziale: 1399

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 7A, 10V,

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SI7430DP-T1-GE3

SI7430DP-T1-GE3

Stock parziale: 61511

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 150V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 10V,

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SI5855CDC-T1-E3

SI5855CDC-T1-E3

Stock parziale: 130824

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

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SI7868ADP-T1-E3

SI7868ADP-T1-E3

Stock parziale: 30942

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25 mOhm @ 20A, 10V,

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SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

Stock parziale: 158534

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 10A, 10V,

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SQJA68EP-T1_GE3

SQJA68EP-T1_GE3

Stock parziale: 9941

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92 mOhm @ 4A, 10V,

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SQ2360EES-T1-GE3

SQ2360EES-T1-GE3

Stock parziale: 1242

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 6A, 10V,

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SI1403BDL-T1-GE3

SI1403BDL-T1-GE3

Stock parziale: 9957

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

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SI7309DN-T1-E3

SI7309DN-T1-E3

Stock parziale: 158562

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 3.9A, 10V,

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IRFR1N60ATRLPBF

IRFR1N60ATRLPBF

Stock parziale: 98672

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 840mA, 10V,

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SIHD9N60E-GE3

SIHD9N60E-GE3

Stock parziale: 78467

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 600V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 368 mOhm @ 4.5A, 10V,

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SIS452DN-T1-GE3

SIS452DN-T1-GE3

Stock parziale: 125881

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 12V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25 mOhm @ 20A, 10V,

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SQ1420EEH-T1-GE3

SQ1420EEH-T1-GE3

Stock parziale: 1196

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.2A, 10V,

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SIRA26DP-T1-RE3

SIRA26DP-T1-RE3

Stock parziale: 9924

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 25V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65 mOhm @ 15A, 10V,

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SI2374DS-T1-GE3

SI2374DS-T1-GE3

Stock parziale: 137862

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4.5V,

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SIRC18DP-T1-GE3

SIRC18DP-T1-GE3

Stock parziale: 9922

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 mOhm @ 15A, 10V,

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SI1499DH-T1-E3

SI1499DH-T1-E3

Stock parziale: 153359

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 8V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 2A, 4.5V,

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SI7113DN-T1-E3

SI7113DN-T1-E3

Stock parziale: 52520

Tipo FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 100V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134 mOhm @ 4A, 10V,

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SIRC10DP-T1-GE3

SIRC10DP-T1-GE3

Stock parziale: 188404

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 10A, 10V,

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SIR616DP-T1-GE3

SIR616DP-T1-GE3

Stock parziale: 111187

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 200V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50.5 mOhm @ 10A, 10V,

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SI7106DN-T1-GE3

SI7106DN-T1-GE3

Stock parziale: 141992

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 20V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V,

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SISA04DN-T1-GE3

SISA04DN-T1-GE3

Stock parziale: 132149

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 30V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15 mOhm @ 15A, 10V,

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SQ3426EEV-T1-GE3

SQ3426EEV-T1-GE3

Stock parziale: 1231

Tipo FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Drain alla tensione della sorgente (Vdss): 60V, Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

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