| genere | Descrizione |
| Stato della parte | Obsolete |
|---|---|
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - DC inversa (Vr) (Max) | 650V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 9.4A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.34V @ 10A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 650V |
| Capacità @ Vr, F | 1107pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto/custodia | TO-257-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-257 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 250°C |
| Stato di rohs. | A norma RoHS |
|---|---|
| Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
| Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
| Categoria di riserva | Stock disponibile |
