genere | Descrizione |
Stato della parte | Active |
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Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain alla tensione della sorgente (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 6.1A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3nC @ 4.5V |
Vg (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1128pF @ 15V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (massima) | 3.1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Pacchetto/custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Stato di rohs. | A norma RoHS |
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Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
Categoria di riserva | Stock disponibile |