| genere | Descrizione |
| Stato della parte | Obsolete |
|---|---|
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain alla tensione della sorgente (Vdss) | 1700V |
| Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C | 4.6A (Tc) |
| Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 2A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 500µA |
| Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 20V |
| Vg (massimo) | +25V, -10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 1000V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (massima) | 52W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D3Pak |
| Pacchetto/custodia | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Stato di rohs. | A norma RoHS |
|---|---|
| Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
| Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
| Categoria di riserva | Stock disponibile |
