genere | Descrizione |
Stato della parte | Obsolete |
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Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain alla tensione della sorgente (Vdss) | 700V |
Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C | 49A (Tc) |
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 32.5A, 20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 20V |
Vg (massimo) | +25V, -10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (massima) | 165W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Pacchetto/custodia | SOT-227-4, miniBLOC |
Stato di rohs. | A norma RoHS |
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Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
Categoria di riserva | Stock disponibile |