genere | Descrizione |
Stato della parte | Active |
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Tipo FET | 2 N Channel (Phase Leg) |
Funzione FET | Silicon Carbide (SiC) |
Drain alla tensione della sorgente (Vdss) | 1700V (1.7kV) |
Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 100A, 20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 5mA (Typ) |
Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs | 380nC @ 20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6160pF @ 1000V |
Potenza - Max | 700W |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto/custodia | SP1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
Stato di rohs. | A norma RoHS |
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Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
Categoria di riserva | Stock disponibile |