| genere | Descrizione |
| Stato della parte | Active |
|---|---|
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain alla tensione della sorgente (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 90µA |
| Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Vg (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1730pF @ 25V |
| Funzione FET | Temperature Sensing Diode |
| Dissipazione di potenza (massima) | 120W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-5-2 |
| Pacchetto/custodia | TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB |
| Stato di rohs. | A norma RoHS |
|---|---|
| Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
| Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
| Categoria di riserva | Stock disponibile |
