| genere | Descrizione |
| Stato della parte | Active |
|---|---|
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain alla tensione della sorgente (Vdss) | 1700V |
| Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C | 72A (Tc) |
| Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59 mOhm @ 50A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 18mA |
| Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs | 188nC @ 20V |
| Vg (massimo) | +25V, -10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3672pF @ 1000V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (massima) | 520W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-4L |
| Pacchetto/custodia | TO-247-4 |
| Stato di rohs. | A norma RoHS |
|---|---|
| Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
| Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
| Categoria di riserva | Stock disponibile |
