| genere | Descrizione |
| Stato della parte | Active |
|---|---|
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain alla tensione della sorgente (Vdss) | 1000V |
| Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 5mA |
| Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 15V |
| Vg (massimo) | +15V, -4V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 600V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (massima) | 113.5W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263-7 |
| Pacchetto/custodia | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Stato di rohs. | A norma RoHS |
|---|---|
| Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
| Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
| Categoria di riserva | Stock disponibile |
