genere | Descrizione |
Stato della parte | Active |
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Tipo FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
Funzione FET | Silicon Carbide (SiC) |
Drain alla tensione della sorgente (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C | 29.5A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98 mOhm @ 20A, 20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA (Typ) |
Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs | 61.5nC @ 20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 800V |
Potenza - Max | 167W |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto/custodia | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Stato di rohs. | A norma RoHS |
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Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
Categoria di riserva | Stock disponibile |