| genere | Descrizione |
| Stato della parte | Active |
|---|---|
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Funzione FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain alla tensione della sorgente (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 40A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
| Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
| Potenza - Max | - |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto/custodia | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
| Stato di rohs. | A norma RoHS |
|---|---|
| Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
| Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
| Categoria di riserva | Stock disponibile |
