genere | Descrizione |
Stato della parte | Obsolete |
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Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain alla tensione della sorgente (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico Continuo (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta) |
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 3.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 462 mOhm @ 300mA, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carica cancello (Qg) (Max) @ Vgs | 1nC @ 4.5V |
Vg (massimo) | +5.5V, -0.3V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 85pF @ 15V |
Funzione FET | Schottky Diode (Body) |
Dissipazione di potenza (massima) | 1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-WLCSP (0.96x0.96) |
Pacchetto/custodia | 4-UFBGA, WLCSP |
Stato di rohs. | A norma RoHS |
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Livello sensibilità all'umidità (MSL) | Non applicabile |
Stato del ciclo di vita | Obsoleto / fine della vita |
Categoria di riserva | Stock disponibile |